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絕大多數(shù)半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)，都是由海外巨頭主導(dǎo)，然而氮化鎵功率半導(dǎo)體卻例外。
根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“英諾賽科”）2023年的收入為5.93億元，市場(chǎng)份額達(dá)33.7%，在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體企業(yè)中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計(jì)，2023年英諾賽科的市場(chǎng)份額為42.4%，同樣在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。
英諾賽科作為IDM廠(chǎng)商，設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及制造氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件及集成電路、氮化鎵模組等產(chǎn)品，適用于各種低中高壓應(yīng)用場(chǎng)景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V。
那么，身負(fù)全球第一，英諾賽科做對(duì)了，或者說(shuō)核心優(yōu)勢(shì)是什么？
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踏準(zhǔn)了氮化鎵產(chǎn)業(yè)的快車(chē)道
2018年，隨著安克創(chuàng)新（Anker Innovation）推出其USB PD氮化鎵充電器，氮化鎵正式進(jìn)入消費(fèi)電子領(lǐng)域，也被視為開(kāi)始了一定規(guī)模的商業(yè)化。隨后氮化鎵技術(shù)和工藝不斷得到優(yōu)化，其應(yīng)用場(chǎng)景逐漸擴(kuò)展至手機(jī)、筆記本電腦、電視等更多消費(fèi)電子產(chǎn)品。根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，2023年全球氮化鎵功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模為17.6億元，2023年更被視為氮化鎵行業(yè)錄得指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的開(kāi)局之年，氮化鎵在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速發(fā)展。
氮化鎵在各個(gè)領(lǐng)域的快速普及，與其高禁帶寬度、飽和電子漂移速率高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高等特點(diǎn)密不可分。
而英諾賽科的快速發(fā)展與踏準(zhǔn)了氮化鎵的產(chǎn)業(yè)節(jié)奏不無(wú)關(guān)系。
駱微微博士是英諾賽科的創(chuàng)始人，從新西蘭梅西大學(xué)應(yīng)用數(shù)學(xué)專(zhuān)業(yè)畢業(yè)后，在美國(guó)宇航局工作了15年，先后擔(dān)任高級(jí)項(xiàng)目經(jīng)理、首席科學(xué)家等職務(wù)。2015年，駱微微選擇回國(guó)創(chuàng)業(yè)。
2015年12月，英諾賽科（珠海）科技有限公司（英諾賽科的子公司，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英諾珠?！保┏闪?。作為小規(guī)模生產(chǎn)基地運(yùn)營(yíng)，具備英諾賽科產(chǎn)品核心技術(shù)要素的基礎(chǔ)研發(fā)功能。
而隨后，2016年被稱(chēng)之為“第三代半導(dǎo)體發(fā)展元年”，國(guó)務(wù)院國(guó)家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展小組將第三半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為發(fā)展重點(diǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)擴(kuò)大第三半導(dǎo)體研發(fā)項(xiàng)目投資，行業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展期。
盡管英諾珠海在研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)方面取得了一定進(jìn)展和成果，但產(chǎn)能已經(jīng)不再能滿(mǎn)足生產(chǎn)需求。2017年7月，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司成立，鄰近大量第三代半導(dǎo)體公司及供應(yīng)商所在地，促進(jìn)了公司產(chǎn)品及研發(fā)成果轉(zhuǎn)向大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化及商業(yè)化。
同年12月，英諾珠海的制造工廠(chǎng)建成投產(chǎn)。建成中國(guó)首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)，主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。
而彼時(shí)，氮化鎵產(chǎn)業(yè)已經(jīng)到了爆發(fā)前夜，英諾賽科率先在8英寸硅基氮化鎵晶圓產(chǎn)業(yè)化上取得重大突破，先機(jī)已備，為今后的成功奠定了良好基礎(chǔ)。
2018年，安克創(chuàng)新（Anker Innovation）推出其USB PD氮化鎵充電器，氮化鎵正式進(jìn)入消費(fèi)電子領(lǐng)域，也被視為開(kāi)始了一定規(guī)模的商業(yè)化。
2020年8月，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，英諾賽科累計(jì)出貨達(dá)一百萬(wàn)顆。一年后，英諾賽科累計(jì)出貨達(dá)一千萬(wàn)顆。
2021年10月，蘇州的制造廠(chǎng)建成投產(chǎn)，根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，該制造工廠(chǎng)是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠(chǎng)。
2022年10月，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，英諾賽科累計(jì)出貨達(dá)一億顆。
2023年12月，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，英諾賽科累計(jì)出貨量超過(guò)五億顆。
截至2024年6月30日，英諾賽科的累計(jì)出貨量超過(guò)8.50億顆。
持續(xù)擴(kuò)張的產(chǎn)能
2021年至今，英諾賽科的產(chǎn)量突飛猛進(jìn)。2021年蘇州和珠海兩個(gè)工廠(chǎng)的晶圓產(chǎn)量合計(jì)為34865片，2023年的晶圓產(chǎn)量已然增至66559片，兩年合計(jì)增長(zhǎng)91%。而2024年上半年晶圓產(chǎn)量達(dá)到53147片，相比去年同期的29588片，同比增長(zhǎng)79.6%，呈現(xiàn)持續(xù)加速的態(tài)勢(shì)。
穩(wěn)定且持續(xù)擴(kuò)張的產(chǎn)能支撐了英諾賽科的快速增長(zhǎng)，是公司成功的關(guān)鍵。英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，確?？蛻?hù)的供應(yīng)鏈穩(wěn)定。其蘇州生產(chǎn)基地的產(chǎn)能從2021年的18000片增加至2022年的36000片，并進(jìn)一步增長(zhǎng)至2023年的48000片。盡管期間蘇州生產(chǎn)基地的產(chǎn)能利用率有所波動(dòng)，但是結(jié)合蘇州基地的產(chǎn)量持續(xù)增長(zhǎng)可知，利用率的波動(dòng)主要受產(chǎn)能基數(shù)持續(xù)擴(kuò)大而出現(xiàn)短暫的回落。
珠海生產(chǎn)基地的產(chǎn)能從2021年的30200片增加至2022年的37700片，并進(jìn)一步增加至2023年的44700片，主要是由于英諾賽科的生產(chǎn)流程逐步優(yōu)化。珠海生產(chǎn)基地的利用率穩(wěn)中有升，2023年的產(chǎn)能利用率輕微下降至56.5%，主要是由于蘇州生產(chǎn)基地的產(chǎn)能增強(qiáng)，逐步承接英諾珠海的大部分低壓硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)。而2024年6月30日止六個(gè)月，隨著氮化鎵晶圓產(chǎn)品需求增加，珠?；氐漠a(chǎn)能利用率大幅升至74.8%。
截至2024年6月30日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能為每月12500片晶圓，已為抓住蓬勃發(fā)展的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的機(jī)遇做好充分準(zhǔn)備。
高良品率、低成本
成熟的8英寸量產(chǎn)技術(shù)。根據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)，2023年全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，6英寸及8英寸氮化鎵的市占率分別為66.3%及33.7%。英諾賽科是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，蘇州的制造工廠(chǎng)是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠(chǎng)。全球其他主要的氮化鎵功率半導(dǎo)體公司如EPC、英飛凌、Navitas、Power Integrations等公司提供6英寸產(chǎn)品為主。
95%的良品率。英諾賽科的制造工藝的持續(xù)改進(jìn)，通過(guò)完善硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)工藝，能夠持續(xù)生產(chǎn)出高均勻、無(wú)裂紋、低晶格錯(cuò)配密度及低缺陷的晶圓。英諾賽科的生產(chǎn)工藝技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了超過(guò)95%的晶圓良率，這極大的強(qiáng)化了自身的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
更低的成本。英諾賽科憑借著在8英寸硅基氮化鎵先進(jìn)的工藝技術(shù)，其8英寸硅基氮化鎵晶圓具有更多的有效面積、更高的生產(chǎn)效率及低成本等優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)的6英寸晶圓相比，每晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%。
上市融資，加速全球化
考慮到氮化鎵生產(chǎn)工藝成熟和規(guī)?；a(chǎn)推廣已達(dá)爆發(fā)臨界點(diǎn)，作為行業(yè)引領(lǐng)者，英諾賽科的全球化箭在弦上。
英諾賽科本次計(jì)劃全球發(fā)售4536.40萬(wàn)股H股，扣除全球發(fā)售應(yīng)付的包銷(xiāo)費(fèi)、費(fèi)用及開(kāi)支后，募資凈額約13.64億港元（按發(fā)售價(jià)范圍中位數(shù)32.26港元計(jì)）：
約60%將用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能，從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來(lái)五年的每月70000片晶圓；
約20%將用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合，用來(lái)提高終端市場(chǎng)中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；
約10%將用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)，其中7.0%用于擴(kuò)大在中國(guó)及海外（包括韓國(guó)及美國(guó)）的銷(xiāo)售及營(yíng)銷(xiāo)團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃在日本設(shè)立區(qū)域辦事處，全球分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)大有助于英諾賽科與全球知名客戶(hù)探索進(jìn)一步合作；
約10%將用于營(yíng)運(yùn)資金及其他一般企業(yè)用途。
根據(jù)公告，英諾賽科將于2024年12月30日在港股上市交易。
值得一提的是，據(jù)英諾賽科的招股書(shū)披露，公司本次上市的基石投資者包括STMicroelectronics Limited（“STHK”），為意法半導(dǎo)體的全資附屬公司，認(rèn)購(gòu)金額為5000萬(wàn)美元。憑借意法半導(dǎo)體在半導(dǎo)體行業(yè)的經(jīng)驗(yàn)和全球市場(chǎng)地位，有助于英諾賽科未來(lái)全球化進(jìn)程。
結(jié)尾
英諾賽科在氮化鎵領(lǐng)域的成功，源于對(duì)產(chǎn)業(yè)節(jié)奏的精準(zhǔn)把握、產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張、高良品率與低成本的優(yōu)勢(shì)，未來(lái)將借助上市融資加速全球化布局。隨著其產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大、產(chǎn)品組合豐富、分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)拓展，英諾賽科有望在全球氮化鎵市場(chǎng)持續(xù)領(lǐng)航，推動(dòng)氮化鎵技術(shù)更廣泛應(yīng)用。
