離子注入后不退火行不行？

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問(wèn)：離子注入后都會(huì)退火，退火的作用是什么？不退火行不行？離子注入對(duì)硅片造成哪些影響？

離子注入時(shí)，高能的雜質(zhì)離子加速撞擊硅片表面，將其動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熱能和位移能，引起硅原子的遷移和重排，破壞了硅的晶格結(jié)構(gòu)，會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)、空位等缺陷。另外，雜質(zhì)離子被注入進(jìn)入硅中后，這些離子大多停留在晶格間隙中，并不能很精準(zhǔn)地進(jìn)入到對(duì)應(yīng)的晶格點(diǎn)陣位置，那么就很難起到改善硅導(dǎo)電性的摻雜作用。

離子注入后退火的作用？

離子注入后退火是必不可少的步驟，退火的作用有：

1，修復(fù)：退火工藝通過(guò)高溫，使硅原子獲得足夠的能量進(jìn)行擴(kuò)散和遷移，重新排列成有序的晶格結(jié)構(gòu)。原子在退火過(guò)程中逐漸移動(dòng)到能量最低的位置，位錯(cuò)、空位等逐漸減少直至消失，從而減少晶格中的缺陷和應(yīng)力。

2，激活：退火使這些摻雜離子（As，P，B）在硅晶格中擴(kuò)散，進(jìn)入晶格點(diǎn)陣位置，與硅原子形成共價(jià)鍵，形成穩(wěn)定的摻雜原子。摻雜濃度分布均勻，電學(xué)活性提高，實(shí)現(xiàn)所需的導(dǎo)電特性。

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