• 正文
    • 1. Dropout voltage
    • 2. 效率
    • 3. PSRR
    • 4. 輸入電壓瞬態(tài)響應(yīng)
    • 5. 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

LDO重要參數(shù)介紹!你學(xué)廢了嗎?

2024/04/18
2843
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

原文來(lái)自原創(chuàng)書(shū)籍:《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)

1. Dropout voltage

上文介紹了LDO是工作在恒流區(qū)(飽和區(qū))的,DS之間有一定的壓差,dropout voltage主要指的就是這個(gè)壓差,所以LDO若想穩(wěn)定工作在飽和區(qū),輸入輸出之間必須滿足這個(gè)壓差,應(yīng)用中可以考慮把datasheet中的數(shù)據(jù)預(yù)留25%的余量。比如圖2-24 某LDO在Iout=150mA時(shí),LDO不同的輸出Vout對(duì)應(yīng)的VDO也不同,Vout越大,需要的VDO就越小,這可以從圖2-16 找到解釋,當(dāng)輸入電壓Vi(對(duì)應(yīng)MOS的VD)和輸出電流不變時(shí),Vout越大那么也就是MOS的VDS越小(VDS=VDO=Vi-VO),則VDO也就越小。

圖2-24 LDO手冊(cè)數(shù)據(jù)截取

圖2-25 是某LDO的dropout voltage與負(fù)載電流的關(guān)系曲線,可以看到如果負(fù)載電流越大,那么LDO的dropout voltage也應(yīng)該越大,這也可以從圖2-16 找到解釋,如果負(fù)載電流越大,那么MOS的工作區(qū)間就越靠近恒流區(qū)的上部分也就越靠近可變電阻區(qū),為了遠(yuǎn)離MOS的可變電阻區(qū)使得MOS工作在飽和區(qū),MOS的VDS應(yīng)該往增加的趨勢(shì)轉(zhuǎn)移。

圖2-25 LDO壓差與輸出電流關(guān)系曲線

原文來(lái)自原創(chuàng)書(shū)籍:《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)

2. 效率

此處不做過(guò)多討論,LDO自身消耗的功率約等于輸入與輸出的電壓差*負(fù)載電流(VDO*Io),效率等于輸出功率除以輸入功率。LDO的輸入電流約等于輸出負(fù)載電流,因此效率就等于輸出電壓除以輸入電壓,見(jiàn)公式(2-31)。相同負(fù)載電流下,壓差VDO越大,LDO功耗越高,發(fā)熱就越大,效率就越低,壓差不要設(shè)置的太高,有利于提高效率,在手機(jī)或者其他便攜式設(shè)備中尤其會(huì)關(guān)注LDO的效率,市場(chǎng)上的一些學(xué)習(xí)開(kāi)發(fā)板只注重基本功能而忽略性能,有的開(kāi)發(fā)板LDO就會(huì)發(fā)熱,甚至是燙手,這就是不合理的電源架構(gòu)設(shè)計(jì)。

3. PSRR

PSRR(power supply rejection ratio)電源電壓抑制比是LDO重要參數(shù)之一,是LDO對(duì)輸入電源紋波的抑制能力,LDO巨大優(yōu)點(diǎn)之一便是紋波小,即PSRR好。PSRR計(jì)算過(guò)程見(jiàn)公式(2-32),VINAC是輸入電壓的變化量,VOUTAC是輸出電壓的變化量,電源對(duì)噪聲有抑制作用,注意:有的手冊(cè)PSRR為負(fù)數(shù)而有的手冊(cè)是正數(shù),我們關(guān)注的是PSRR的絕對(duì)值,它的絕對(duì)值越大表示對(duì)輸入紋波的抑制程度越高。

圖2-26 是Onsemi某LDO PSRR曲線(縱坐標(biāo)取了絕對(duì)值方便閱讀),該曲線有個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn),左邊是LDO自身環(huán)路起主導(dǎo)作用,右邊為輸出電容PCB起主導(dǎo)作用,PSRR性能好的LDO左邊的曲線會(huì)更高、紋波抑制能力更好,加大輸出電容,右邊的曲線會(huì)升高。

圖2-26 LDO PSRR曲線

4. 輸入電壓瞬態(tài)響應(yīng)

輸入電壓瞬態(tài)響應(yīng)也叫線網(wǎng)調(diào)整率(Line Transient Response),指的是在特定負(fù)載電流條件下,當(dāng)輸入電壓階躍變化時(shí),引起的輸出電壓的變化量。從定義可以看出,輸入電壓瞬態(tài)響應(yīng)越小越好,因?yàn)檫@樣才能在輸入電壓變化時(shí),對(duì)輸出的影響越小,LDO性能越好,圖2-27 左圖是某LDO的輸入電壓瞬態(tài)響應(yīng)曲線,當(dāng)?shù)谝恍械妮斎腚妷和蝗辉黾訒r(shí),會(huì)引起第二行中輸出電壓微小上沖,反之亦然,由于這個(gè)變化很小只有20mV,與LDO輸出的幾伏電壓相比非常小,因此左圖中第二行是交流測(cè)量,減掉了LDO輸出的直流量,只看輸出電壓的變化量,因此第二行的電壓是在0V基礎(chǔ)上波動(dòng)。

圖2-27?輸入電壓瞬態(tài)響應(yīng)與負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

5. 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(Load transient response )指的是,在特定的輸入電壓條件下,當(dāng)負(fù)載電流突然變化時(shí),引起的輸出電壓的變化。從定義可以看出,負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)也是越小越好,當(dāng)負(fù)載電流突然變化時(shí),引起的輸出變化越小,LDO性能就越好,從圖2-27 右圖中可以看到,當(dāng)?shù)诙械妮敵鲭娏魍蝗辉黾訒r(shí)(負(fù)載電阻突然減小),會(huì)引起第一行的輸出電壓下沖,反之亦然,輸出電壓波形也是看交流量。

一個(gè)設(shè)計(jì)優(yōu)秀的LDO一定要具有良好的穩(wěn)定性,以前接觸過(guò)某LDO設(shè)計(jì)初期,內(nèi)部設(shè)計(jì)不合理導(dǎo)致過(guò)LDO負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)異常,有點(diǎn)類似圖2-49 的波形,上面波形是輸出電流,下面曲線是輸出電壓,當(dāng)負(fù)載電流短時(shí)間內(nèi)拉高時(shí),輸出劇烈抖動(dòng),并沒(méi)有穩(wěn)定在最開(kāi)始的輸出。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
LM393DT 1 ROHM Semiconductor Comparator, 2 Func, 9000uV Offset-Max, 1300ns Response Time, BIPolar, PDSO8, SOP-8

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.16 查看
LM2903M/NOPB 1 Texas Instruments Low offset, dual differential comparator 8-SOIC -40 to 85

ECAD模型

下載ECAD模型
$1.07 查看
CSD95372BQ5MCT 1 Texas Instruments 60A Synchronous Buck NexFET™ Smart Power Stage with Dual Cool package 12-VSON-CLIP -55 to 150

ECAD模型

下載ECAD模型
$5.74 查看

相關(guān)推薦