5款SiC新品亮相，真的有點猛！

在過去一年里，SiC產品迎來大爆發(fā)；2024開年以來，包括Qorvo、三菱電機、至信微等企業(yè)也紛紛推出碳化硅新品，積極打進汽車和飛機供應鏈，牽頭再譜新年新篇章。

Qorvo：推出9mΩ 750V SiC FET

1月24日，Qorvo宣布推出一款符合車規(guī)標準的750V SiC FET——UJ4SC075009B7S，該器件采用緊湊型 D2PAK-7L 封裝，具有業(yè)界最佳的超低導通電阻（9mΩ）。

據介紹，UJ4SC075009B7S是 Qorvo 推出的全新引腳兼容 SiC FET 系列中的首款產品，導通電阻選項高達60mΩ，適配電動汽車車載充電器、DC/DC 轉換器和正溫度系數(shù) (PTC) 加熱器模塊等。

該新品在 25°C 時導通電阻為 9mΩ ，可減少傳導損耗并最大限度地提高汽車應用的效率。其小型表面貼裝封裝實現(xiàn)了自動化裝配流程，降低了客戶的制造成本。

UJ4SC075009B7S 的相關性能：

● 閾值電壓 VG(th)：4.5V（典型值），允許 0 至 15V 驅動電壓

●?低體二極管VFSD：1.1V

●?最高工作溫度：175°C

●?出色的反向恢復能力：Qrr = 338 nC

●?低柵極電荷：QG = 75 nC

●?通過 (AEC) Q101 認證

該系列 SiC FET 采用 Qorvo 獨特的級聯(lián)電路配置，即 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，從而生產出具有寬帶隙開關技術的效率優(yōu)勢和硅 MOSFET 的簡單柵極驅動的器件。SiC FET 的效率取決于傳導損耗，而 Qorvo 的級聯(lián)/JFET方法通過業(yè)界最佳的低導通電阻和體二極管反向壓降降低了傳導損耗。

750V SiC FET系列產品是對 Qorvo 現(xiàn)有的 1200V 和 1700V產品的補充，目前，Qorvo已形成了一個完整的產品組合，可滿足 400V 和 800V 電池架構的電動汽車應用需求。

三菱電機：新SiC模塊大幅縮小尺寸

1月24日，三菱電機發(fā)布了6款全新的J3系列功率模塊，這些模塊可兼容SiC-MOSFET和RC-IGBT ，將為各種電動汽車（xEV）帶來更小、更高效的逆變器。

據介紹，三菱的J3系列模塊具有以下幾個特點：

• • J3壓注模功率模塊（J3-T-PM）可以焊接到散熱器上，與現(xiàn)有功率模塊相比，其熱阻降低約30%，基于

  溝槽SiC MOSFET

  的模塊尺寸縮小約60%。由于尺寸縮小，J3-T-PM的電感比現(xiàn)有模塊的電感小約30%，支持高速開關。并聯(lián)使用多個J3-T-PM能夠進一步降低電感。

三菱電機表示：“與競爭對手的同額定容量功率模塊相比，我們新模塊在同類產品中體積最小，能量密度最高?！睒悠酚媱澯诮衲?月25日開始陸續(xù)發(fā)貨，預計最早要到 2026 年才能量產上車。

至信微：發(fā)布1200V SiC MOSFET

1月12日，至信微召開了2024新品發(fā)布暨代理商大會，會上發(fā)布了1200V/7mΩ、750V/5mΩ等行業(yè)領先的SiC芯片。

據介紹，該SiC芯片采用的是平面工藝，導通電阻低至7mΩ，單Die可以支持到250A以上的超大電流，是全球首顆達到這一電流水平的單顆平面工藝1200V/7mΩ SiC MOS芯片，從而使得單芯片的系統(tǒng)輸出功率達到30kW。

此外，至信微還在發(fā)布會現(xiàn)場展示了晶圓裸片，目前其1200V/7mΩ SiC MOS晶圓的良率已在80%以上。

昕感科技：發(fā)布1200V SiC MOSFET

前段時間，昕感科技面向新能源領域推出一款SiC MOSFET器件新產品——N2M120007PP0，實現(xiàn)了業(yè)界領先的超低導通電阻規(guī)格1200V/7mΩ。

據悉，昕感新品基于車規(guī)級工藝平臺，采用先進結構和制造工藝，兼容18V柵壓驅動，采用出色的TO-247-4L Plus封裝，具備開爾文源極和低熱阻等優(yōu)勢，能夠顯著降低開關損耗及震蕩，提升器件散熱表現(xiàn)；器件工作電流可達300A以上，具有正溫度系數(shù)，可方便實現(xiàn)大電流并聯(lián)。同時，昕感新品的漏電流極低（<1μA@1200V），具備優(yōu)越的高壓阻斷特性。

目前，該新品已完成一系列動態(tài)測試和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同條件下正常動態(tài)開關，將瞄準新能源汽車主驅等亟需高壓大電流與低損耗的功率半導體開關應用，助力新能源領域快速更新?lián)Q代。

ZeroAvia：推出SiC航空逆變器

1月24日，ZeroAvia 公司宣布，他們已成功完成對其200 kW SiC功率逆變器設計的初步測試活動。該逆變器可在 800 伏直流電下以 230 kW 的功率運行，功率密度超過 20 kW/kg

據介紹，SiC逆變器是ZeroAvia正在開發(fā)的零排放氫電航空發(fā)動機的一個重要組成部分——兩年前，ZeroAvia開發(fā)了自己的碳化硅逆變器（包括單雙配置的逆變器，峰值分別為225kw、450kw），并在半導體模塊設計、柵極驅動器設計、相位電路的模塊化等方面進行了許多創(chuàng)新，現(xiàn)已成功安裝在發(fā)動機艙內。

未來，ZeroAvia 的SiC逆變器技術將應用于各種尺寸的發(fā)動機，如9-19 座飛機的600kW ZA600 發(fā)動機及HyperCore 發(fā)動機。目前，該逆變器正在ZA600上進行認證工作，或在2025年底前完成認證。