低壓直流浪涌的整改案例？|深圳比創(chuàng)達EMC（下）

低壓直流浪涌的整改案例？相信不少人是有疑問的，今天深圳市比創(chuàng)達電子科技有限公司就跟大家解答一下！

針對市面上各種快充型手機，其適配器輸出的常規(guī)電壓為5V DC，但若采用高壓大電流或者高壓低電流的快充模式，最高輸入電壓有可能達到20V DC以上。

另外，USB充電頭在插拔瞬間也易產(chǎn)生一些強干擾脈沖注入到端口中；因此，有必要對手機的相應端口進行耐壓能力的評估測試。

在比創(chuàng)達的日常工作中，低壓浪涌類測試整改項目也是最常見的項目之一；因端口防護設計不良造成的失效也是多種多樣，包括IC芯片燒毀、產(chǎn)品關機/復位、端口器件燒毀等。

經(jīng)過經(jīng)驗豐富的現(xiàn)場整改工程師定位整改后，絕大部分產(chǎn)品均能通過最優(yōu)方案解決浪涌失效問題，那么低壓直流浪涌的整改案例？接下來就跟著深圳比創(chuàng)達EMC小編一起來看下吧！

某TWS充電倉要求滿足差模100V浪涌測試，40V注入無異常，但在50V注入時就出現(xiàn)了充電指示燈熄滅、無充電電流輸入的異常：

定位分析發(fā)現(xiàn)：產(chǎn)品Type-C輸入的最高電壓為20V、同時后級被保護芯片的耐壓為28V（根據(jù)多年的整改經(jīng)驗，一般被保護模塊能承受的浪涌沖擊電壓是其直流耐壓的1.4~1.5倍左右，即本款產(chǎn)品芯片應能承受40V左右的耐壓，實際測試結(jié)果40V OK、50V Fail也說明了這一問題）；所以選擇的防護器件要保證反向截止電壓大于20V、同時鉗位電壓務必要小于40V。

綜合考量及現(xiàn)場實測，最終選擇了22V防浪涌器件（BTRSF22A401，其規(guī)格參數(shù)如圖5），其殘壓較低，保證不會燒毀芯片（選用其他高耐壓的器件，雖然器件本身未被損壞，但因鉗位會比較高，燒毀了幾次芯片）：

最終的解決方案為：如圖6，Type-C輸入的VCC對地加防浪涌器件。

經(jīng)過整改，產(chǎn)品最終通過100V等級測試，復測驗證多次均無異常。

二、總結(jié)

1、低壓浪涌防護也是以泄放、鉗位為主要手段，器件主要用TVS和TSS；

2、器件選型時需注意確保殘壓對后級被保護電路的影響同時，要注意端口自身的耐壓；即保證被保護的模塊得到保護的同時，也要保證防護器件本身不易損壞。

綜上所述，相信通過本文的描述，各位對低壓直流浪涌的整改案例都有一定了解了吧，有疑問和有不懂的想了解可以隨時咨詢深圳比創(chuàng)達這邊。今天就先說到這，下次給各位講解些別的內(nèi)容，咱們下回見啦！

以上就是深圳市比創(chuàng)達電子科技有限公司小編給您們介紹的低壓直流浪涌的整改案例的內(nèi)容，希望大家看后有所幫助！

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