一款射頻芯片的layout設(shè)計(jì)指導(dǎo)案例-篇章2

來(lái)源：硬件大熊，作者：雕塑者

?《一款射頻芯片的layout設(shè)計(jì)指導(dǎo)案例-篇章1》中，我們闡述了RTL8762元件布局順序、DC/DC電路元件布局走線(xiàn)、電源Bypass布局規(guī)范、外部flash布局走線(xiàn)、RF布局走線(xiàn)，

本篇闡述晶振、ESD、板層等相關(guān)指導(dǎo)建議——

40MHz晶振布局走線(xiàn)規(guī)范

在沒(méi)有結(jié)構(gòu)限制情況下， Crystal 和 BT CHIP 要放在同一層面。

為了避免干擾 RF 信號(hào)， Crystal 盡量遠(yuǎn)離 RF Trace。

Crystal 的放置應(yīng)盡可能靠近 BT CHIP，路徑要短， Trace 寬度建議超過(guò) 6mil。

如果是 2 層板，禁止在 Crystal 的背層走線(xiàn)，讓背層（BOT）的鋪銅保留完整性。

ESD?Layout

TVS 擺放位置應(yīng)盡可能靠近 ESD 源頭（接頭等處），與被保護(hù) IC 的距離要遠(yuǎn)于 ESD 源。布線(xiàn)時(shí)需將 ESD 源直接接到 TVS，減少 TVS 管和回流地之間的寄生電感

• 分割地平面時(shí)要注意縮短信號(hào)線(xiàn)的回流路徑， 采用星狀線(xiàn)的方式實(shí)現(xiàn)并聯(lián)接地。

刪除孤島銅皮，用地將敏感信號(hào)包裹起來(lái)，防止其他信號(hào)的輻射干擾

盡量縮短線(xiàn)長(zhǎng)以減少寄生電感。因直角走線(xiàn)會(huì)產(chǎn)生更大的電磁輻射，避免直角走線(xiàn)連接到器件或走線(xiàn)上。高速電路設(shè)計(jì)時(shí)，更需注意這點(diǎn)。盡量增大過(guò)孔的鉆孔直徑和焊盤(pán)直徑，減少過(guò)孔的寄生電感。布線(xiàn)時(shí)，讓敏感信號(hào)線(xiàn)遠(yuǎn)離 PCB 板邊。為避免走線(xiàn)與天線(xiàn)間的串?dāng)_，走線(xiàn)需遠(yuǎn)離天線(xiàn)，天線(xiàn)需放在離接頭較遠(yuǎn)的位置。布局時(shí)，將所有的接頭和板邊接線(xiàn)放在 PCB 板邊一側(cè)， ESD 敏感器件放到 PCB 中心。

兩層板注意事項(xiàng)

BT CHIP、 RF、 Crystal、 Buck 區(qū)域，盡量避免于這些區(qū)域走線(xiàn)。

兩層板走線(xiàn)盡可能走在同一層面。

若走線(xiàn)要貫穿到背層，背面的走線(xiàn)盡可能短或者集中在一起，維持背面敷銅的完整。

電源VDD12 走線(xiàn)可將 EPAD 尺寸改小到 3.6mm， trace 從 IC package 縫隙中穿過(guò)。

其他注意事項(xiàng)

上下層走線(xiàn)時(shí)盡可能不要平行重疊的走線(xiàn)

External flash 必須盡量的靠近 IC 擺放

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