Nexperia宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場,包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信,尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來,Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-
這些器件采用8518和8536外殼尺寸,TCR低至± 10 ppm/°C,電阻低至15 mW,額定功率達(dá)50 W 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出一系列通過AEC-Q200認(rèn)證的全新Power Metal Strip?分流電阻器---WSBE,這些器件的TCR低至± 10 ppm/°C,在同類產(chǎn)品中保持較低水平。 Vis