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金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。收起

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  • 英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相關成本
    Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產品系列，簡化了系統(tǒng)設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enpha
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  • 納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF
    納祥科技NX7011采用先進的溝槽技術，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨立的 MOSFET且漏源導通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產品的應用。
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    03/27 07:29
    納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF
  • 這些硬件工程師技術面試題目你會嗎？
    在W35周報中分享了本科大三那會實習面試的題目，文章發(fā)布之后，很多人在大話硬件群里讓我寫一下問題的答案。考慮到是面試的題目，用文章寫出來可能會有一些相關信息的丟失，下面就針對面試官的提問，說一下當時是怎樣回答的，并在其中加入現(xiàn)在我對這些問題的理解。
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    03/26 14:05
    這些硬件工程師技術面試題目你會嗎？
  • 2家SiC企業(yè)實現(xiàn)主驅突破，今年MOS國產化率將達20%？
    近日，國內2家SiC企業(yè)先后宣布實現(xiàn)了主驅突破：● 清純半導體：通過大眾集團POT審核，成為大眾汽車中國本土碳化硅芯片供應商；●?芯粵能：成功開發(fā)出第一代SiC溝槽MOSFET工藝平臺，旗下芯片有望在今年上半年上車。
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  • 納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET
    納祥科技NX7010是一款30V 20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵源電壓的控制。當柵源電壓大于導通電壓時，兩個MOS管都處于導通狀態(tài)，電流從N1的源極流向N2的漏極，再從N2的源極回到N1的漏極；當柵極電壓小于截止電壓時，兩個MOS管都處于截止狀態(tài)，電路中的電流幾乎為零。
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    03/24 08:38
    納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET
  • 用兩個NPN三極管搭建一個MOSFET驅動電路，1000字講解清楚原理和選型
    今天分析一下下面的這個電路，一個基于NPN三極管的MOSFET柵極自偏置關斷電路。電路很簡單，里面可是藏著不少門道，既有設計亮點，也有效率與延遲問題。咱們一邊分析，一邊看看器件選型和計算的門道，爭取把這電路的“前世今生”講透了！
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  • 瑞薩電子推出具備預驗證固件的完整鋰離子電池管理平臺
    先進的電源管理解決方案包括電量計IC、MCU、預驗證固件、軟件和文檔，可顯著簡化電池組設計 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出針對電動自行車、吸塵器、機器人和無人機等多種采用鋰電池供電的消費產品推出鋰電池組一站式管理解決方案——R-BMS F。得益于所提供的預驗證固件，R-BMS F（具備固定固件的即用型電池管理系統(tǒng)）將顯著縮短開發(fā)者的學習周期，助力其快速設計出安全、
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  • 用PNP三極管搭建MOSFET快速關斷電路為什么要并聯(lián)一個二極管，1000字搞定它
    下圖是一個使用PNP晶體管實現(xiàn)的MOSFET驅動電路，電路很簡單，一個RGATE電阻、二極管DON和關斷晶體管QOFF。這個電路設計類似“輕量版Totem-Pole”的MOSFET驅動拓撲，既保留了高效驅動的優(yōu)點，又通過獨特布局優(yōu)化了性能。RGATE電阻和晶體管QOFF的作用很好理解，但是二極管DON有什么用呢？今天就來講解一下。
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  • 用NPN和PNP三極管搭建一個MOSFET驅動電路，1200字講透它
    這個電路設計有幾個關鍵點，涉及外部驅動器位置、旁路電容布局、RGATE電阻設計，還有就是Totem-Pole拓撲電路的自鉗位保護機制。咱們今天就來好好把這個電路拆解一下，看看這設計到底有多牛，我們在應用這個電路時又有哪些小細節(jié)需要注意的。
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  • 東芝推出面向車載直流有刷電機的柵極驅動IC，助力縮小設備尺寸
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，量產面向車載直流有刷電機應用的柵極驅動IC[1]——“TB9103FTG”，其典型應用包括用于電動后門和電動滑門的閂鎖電機[2]和鎖定電機[3]，以及電動車窗和電動座椅的驅動電機等。 汽車部件現(xiàn)已基本實現(xiàn)電氣化，電機的需求以及在汽車中集成的電機數(shù)量都在增加。隨著電動機中使用的驅動IC數(shù)量的增加，人們更傾向采用高集成度和小型化的系統(tǒng)解決方案。此外，
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  • 浮地非隔離半橋柵極驅動器
    作者：Srikesh Pulluri，產品應用工程師 摘要 半橋拓撲結構廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應用的電源轉換器件中。這種開關模式配置的核心是柵極驅動器IC，其主要功能是使用脈寬調制信號向高端和低端MOSFET功率開關提供干凈的電平轉換信號。 本文重點介紹了工程師在為應用選擇柵極驅動器IC時應考慮的關鍵因素。除了基本的電壓和電流額定值之外，本文還說明了高共模瞬變抗擾度的重要性和可調死區(qū)時間的必要性。
    浮地非隔離半橋柵極驅動器
  • MOSFET驅動電路中的柵極電阻靠近驅動器放置還是靠近MOSFET放置？還是無所謂呢？
    在MOSFET驅動電路中，如果我們采用柵極驅動器來驅動MOSFET，那么將柵極驅動器盡可能靠近MOSFET放置是比較理想的選擇。但在某些情況下，很難在PCB布置電路板來實現(xiàn)這一點。如果柵極驅動器和MOSFET之間的距離很大，那PCB中外部柵極電阻放哪個位置更好，是靠近柵極驅動器還是靠近MOSFET呢，或者沒有影響？
    MOSFET驅動電路中的柵極電阻靠近驅動器放置還是靠近MOSFET放置？還是無所謂呢？
  • 為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
    作者：Brandon Becker，安森美電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營銷經理 簡介 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄
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    03/11 08:34
    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
  • 為什么有些MOSFET驅動電路柵極電阻要并聯(lián)一個二極管？是多此一舉嗎？
    下圖是一個簡潔的柵極驅動電路，包含一個驅動器IC、柵極電阻RGATE、反向并聯(lián)的關斷二極管DOFF，以及MOSFET。在MOSFET驅動電路的設計中，柵極電阻RGATE和反向并聯(lián)二極管DOFF是兩個關鍵元件，它們共同調控MOSFET的開關行為。
    2015
    2評論
    03/10 16:08
  • 集成雙極晶體管的MOSFET驅動電路以及外圍器件選型設計講解
    在MOSFET驅動電路中，經常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅動器的情況。這種設計在PWM控制或電機驅動中非常常見，尤其是在需要快速開關和高效率時。下面是一個典型的帶有BJT的柵極驅動電路，上一篇文章講解了VDRV電源處去耦電容的選型計算，今天，我就結合這個電路，聊聊如何設計柵極驅動電路。
    集成雙極晶體管的MOSFET驅動電路以及外圍器件選型設計講解
  • Qorvo? 為屢獲殊榮的 QSPICE? 電路仿真軟件新增建模功能
    全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）宣布，為其屢獲殊榮的 QSPICE 電路仿真軟件新增一項重要功能——在幾分鐘而非幾小時內精確地為半導體元件創(chuàng)建模型。電子設計師現(xiàn)在可以在 QSPICE 免費軟件包中使用該全新工具。 這項新功能使得設計師能夠利用數(shù)據(jù)表中常見的信息，為分立結型場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和二極管創(chuàng)建電路
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  • 東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出
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    03/06 09:07
    東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器
  • ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET
    全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。 新產品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側的“
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    03/06 08:21
    ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET
  • 增強型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么
    1.?工作原理： 增強型MOSFET：當柵極施加電壓時，導致溝道形成，使得器件導通。需要正向電壓來增強導電能力。 耗盡型MOSFET：在零柵極電壓下處于導通狀態(tài)，施加負向電壓到柵極才能關閉。基本上是一個開關，不需要外部電壓來增強導電。 2.?控制電壓： 增強型MOSFET：需要正向電壓來激活。 耗盡型MOSFET：需要負向電壓來關閉。 3.?導通特性： 增強型MOSFET：在柵極施加足夠的正電壓后
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    03/26 12:07
  • MOSFET器件選型需要考慮哪些因素
    金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET）是電子設備中常用的一種器件，廣泛應用于放大、開關和其他電路設計中。在選擇合適的MOSFET器件時，需要考慮許多因素，以確保系統(tǒng)性能、穩(wěn)定性和可靠性。

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