MOSFET

• 英飛凌攜手Enphase通過(guò)600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本

  Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽(yáng)能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過(guò)使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enpha

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  525

  03/27 08:28

  英飛凌 MOSFET

  
• 納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF

  納祥科技NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。

  納祥科技

  553

  03/27 07:29

  MOSFET

  
• 這些硬件工程師技術(shù)面試題目你會(huì)嗎？

  在W35周報(bào)中分享了本科大三那會(huì)實(shí)習(xí)面試的題目，文章發(fā)布之后，很多人在大話(huà)硬件群里讓我寫(xiě)一下問(wèn)題的答案?？紤]到是面試的題目，用文章寫(xiě)出來(lái)可能會(huì)有一些相關(guān)信息的丟失，下面就針對(duì)面試官的提問(wèn)，說(shuō)一下當(dāng)時(shí)是怎樣回答的，并在其中加入現(xiàn)在我對(duì)這些問(wèn)題的理解。

  大話(huà)硬件

  1407

  03/26 14:05

  MOSFET 電感

  
• 2家SiC企業(yè)實(shí)現(xiàn)主驅(qū)突破，今年MOS國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)20%？

  近日，國(guó)內(nèi)2家SiC企業(yè)先后宣布實(shí)現(xiàn)了主驅(qū)突破：● 清純半導(dǎo)體：通過(guò)大眾集團(tuán)POT審核，成為大眾汽車(chē)中國(guó)本土碳化硅芯片供應(yīng)商；●?芯粵能：成功開(kāi)發(fā)出第一代SiC溝槽MOSFET工藝平臺(tái)，旗下芯片有望在今年上半年上車(chē)。

  行家說(shuō)三代半

  652

  03/26 09:50

  SiC MOSFET

  
• 納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET

  納祥科技NX7010是一款30V 20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵源電壓的控制。當(dāng)柵源電壓大于導(dǎo)通電壓時(shí)，兩個(gè)MOS管都處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流從N1的源極流向N2的漏極，再?gòu)腘2的源極回到N1的漏極；當(dāng)柵極電壓小于截止電壓時(shí)，兩個(gè)MOS管都處于截止?fàn)顟B(tài)，電路中的電流幾乎為零。

  納祥科技

  231

  03/24 08:38

  MOSFET

  
• 用兩個(gè)NPN三極管搭建一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，1000字講解清楚原理和選型

  今天分析一下下面的這個(gè)電路，一個(gè)基于NPN三極管的MOSFET柵極自偏置關(guān)斷電路。電路很簡(jiǎn)單，里面可是藏著不少門(mén)道，既有設(shè)計(jì)亮點(diǎn)，也有效率與延遲問(wèn)題。咱們一邊分析，一邊看看器件選型和計(jì)算的門(mén)道，爭(zhēng)取把這電路的“前世今生”講透了！

  硬件那點(diǎn)事兒

  1717

  03/19 14:54

  MOSFET 電路設(shè)計(jì)

  
• 瑞薩電子推出具備預(yù)驗(yàn)證固件的完整鋰離子電池管理平臺(tái)

  先進(jìn)的電源管理解決方案包括電量計(jì)IC、MCU、預(yù)驗(yàn)證固件、軟件和文檔，可顯著簡(jiǎn)化電池組設(shè)計(jì) 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出針對(duì)電動(dòng)自行車(chē)、吸塵器、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)等多種采用鋰電池供電的消費(fèi)產(chǎn)品推出鋰電池組一站式管理解決方案——R-BMS F。得益于所提供的預(yù)驗(yàn)證固件，R-BMS F（具備固定固件的即用型電池管理系統(tǒng)）將顯著縮短開(kāi)發(fā)者的學(xué)習(xí)周期，助力其快速設(shè)計(jì)出安全、

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  398

  03/18 13:05

  MOSFET 瑞薩電子

  
• 用PNP三極管搭建MOSFET快速關(guān)斷電路為什么要并聯(lián)一個(gè)二極管，1000字搞定它

  下圖是一個(gè)使用PNP晶體管實(shí)現(xiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，電路很簡(jiǎn)單，一個(gè)RGATE電阻、二極管DON和關(guān)斷晶體管QOFF。這個(gè)電路設(shè)計(jì)類(lèi)似“輕量版Totem-Pole”的MOSFET驅(qū)動(dòng)拓?fù)?，既保留了高效?qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又通過(guò)獨(dú)特布局優(yōu)化了性能。RGATE電阻和晶體管QOFF的作用很好理解，但是二極管DON有什么用呢？今天就來(lái)講解一下。

  硬件那點(diǎn)事兒

  1566

  03/17 17:20

  MOSFET 電路設(shè)計(jì)

  
• 用NPN和PNP三極管搭建一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，1200字講透它

  這個(gè)電路設(shè)計(jì)有幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，涉及外部驅(qū)動(dòng)器位置、旁路電容布局、RGATE電阻設(shè)計(jì)，還有就是Totem-Pole拓?fù)潆娐返淖糟Q位保護(hù)機(jī)制。咱們今天就來(lái)好好把這個(gè)電路拆解一下，看看這設(shè)計(jì)到底有多牛，我們?cè)趹?yīng)用這個(gè)電路時(shí)又有哪些小細(xì)節(jié)需要注意的。

  硬件那點(diǎn)事兒

  1238

  03/17 10:10

  MOSFET 電路設(shè)計(jì)

  
• 東芝推出面向車(chē)載直流有刷電機(jī)的柵極驅(qū)動(dòng)IC，助力縮小設(shè)備尺寸

  東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，量產(chǎn)面向車(chē)載直流有刷電機(jī)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)IC[1]——“TB9103FTG”，其典型應(yīng)用包括用于電動(dòng)后門(mén)和電動(dòng)滑門(mén)的閂鎖電機(jī)[2]和鎖定電機(jī)[3]，以及電動(dòng)車(chē)窗和電動(dòng)座椅的驅(qū)動(dòng)電機(jī)等。 汽車(chē)部件現(xiàn)已基本實(shí)現(xiàn)電氣化，電機(jī)的需求以及在汽車(chē)中集成的電機(jī)數(shù)量都在增加。隨著電動(dòng)機(jī)中使用的驅(qū)動(dòng)IC數(shù)量的增加，人們更傾向采用高集成度和小型化的系統(tǒng)解決方案。此外，

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  676

  03/13 15:13

  MOSFET 東芝

  
• 浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

  作者：Srikesh Pulluri，產(chǎn)品應(yīng)用工程師 摘要 半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開(kāi)關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動(dòng)器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號(hào)向高端和低端MOSFET功率開(kāi)關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號(hào)。 本文重點(diǎn)介紹了工程師在為應(yīng)用選擇柵極驅(qū)動(dòng)器IC時(shí)應(yīng)考慮的關(guān)鍵因素。除了基本的電壓和電流額定值之外，本文還說(shuō)明了高共模瞬變抗擾度的重要性和可調(diào)死區(qū)時(shí)間的必要性。

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  331

  03/13 13:03

  MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

  
• MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中的柵極電阻靠近驅(qū)動(dòng)器放置還是靠近MOSFET放置？還是無(wú)所謂呢？

  在MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中，如果我們采用柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET，那么將柵極驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近MOSFET放置是比較理想的選擇。但在某些情況下，很難在PCB布置電路板來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。如果柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET之間的距離很大，那PCB中外部柵極電阻放哪個(gè)位置更好，是靠近柵極驅(qū)動(dòng)器還是靠近MOSFET呢，或者沒(méi)有影響？

  硬件那點(diǎn)事兒

  1120

  03/12 15:33

  MOSFET 電路設(shè)計(jì)

  
• 為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡？

  作者：Brandon Becker，安森美電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理 簡(jiǎn)介 電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄

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  579

  03/11 08:34

  SiC MOSFET

  
• 為什么有些MOSFET驅(qū)動(dòng)電路柵極電阻要并聯(lián)一個(gè)二極管？是多此一舉嗎？

  下圖是一個(gè)簡(jiǎn)潔的柵極驅(qū)動(dòng)電路，包含一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC、柵極電阻RGATE、反向并聯(lián)的關(guān)斷二極管DOFF，以及MOSFET。在MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中，柵極電阻RGATE和反向并聯(lián)二極管DOFF是兩個(gè)關(guān)鍵元件，它們共同調(diào)控MOSFET的開(kāi)關(guān)行為。

  硬件那點(diǎn)事兒

  1962

  2評(píng)論

  03/10 16:08

  二極管 MOSFET
• 集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路以及外圍器件選型設(shè)計(jì)講解

  在MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中，經(jīng)常會(huì)遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅(qū)動(dòng)器的情況。這種設(shè)計(jì)在PWM控制或電機(jī)驅(qū)動(dòng)中非常常見(jiàn)，尤其是在需要快速開(kāi)關(guān)和高效率時(shí)。下面是一個(gè)典型的帶有BJT的柵極驅(qū)動(dòng)電路，上一篇文章講解了VDRV電源處去耦電容的選型計(jì)算，今天，我就結(jié)合這個(gè)電路，聊聊如何設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。

  硬件那點(diǎn)事兒

  943

  03/07 15:21

  MOSFET 電路設(shè)計(jì)

  
• Qorvo? 為屢獲殊榮的 QSPICE? 電路仿真軟件新增建模功能

  全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）宣布，為其屢獲殊榮的 QSPICE 電路仿真軟件新增一項(xiàng)重要功能——在幾分鐘而非幾小時(shí)內(nèi)精確地為半導(dǎo)體元件創(chuàng)建模型。電子設(shè)計(jì)師現(xiàn)在可以在 QSPICE 免費(fèi)軟件包中使用該全新工具。 這項(xiàng)新功能使得設(shè)計(jì)師能夠利用數(shù)據(jù)表中常見(jiàn)的信息，為分立結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和二極管創(chuàng)建電路

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  514

  03/06 09:09

  半導(dǎo)體 Qorvo

  
• 東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

  東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出

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  438

  03/06 09:07

  MOSFET IGBT

  
• ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。 新產(chǎn)品共3款機(jī)型，包括非常適用于企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“

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  455

  03/06 08:21

  MOSFET ROHM

  
• STSPIN32G0上新兩款低壓產(chǎn)品，design win見(jiàn)證卓越

  意法半導(dǎo)體 (ST) 的STSPIN32系列產(chǎn)品集成了MCU與功率開(kāi)關(guān)管柵極驅(qū)動(dòng)器，不僅節(jié)省了成本，還簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程，整個(gè)系統(tǒng)的體積最多可縮小65%，這些特性讓它在市場(chǎng)上脫穎而出備受青睞。 STSPIN32G0是首款面向主流市場(chǎng)的STSPIN32產(chǎn)品，首款內(nèi)置STM32G0 MCU以及三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的BLDC控制器，能夠驅(qū)動(dòng)傳統(tǒng)的功率MOSFET和IGBT，并具有更出色的成本效益。它專(zhuān)門(mén)為這類(lèi)

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  730

  02/27 08:10

  意法半導(dǎo)體 MOSFET

  
• Allegro技術(shù)洞察：12V 和 48V 系統(tǒng)的通用驅(qū)動(dòng)平臺(tái)簡(jiǎn)化電動(dòng)汽車(chē)啟動(dòng)發(fā)電機(jī)設(shè)計(jì)

  皮帶驅(qū)動(dòng)啟動(dòng)發(fā)電機(jī) (BSG) 是混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 和電動(dòng)汽車(chē) (EV) 系統(tǒng)不可或缺的一部分，因?yàn)樗兄跍p少內(nèi)燃機(jī)產(chǎn)生的碳排放。啟動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)在電動(dòng)汽車(chē)架構(gòu)中扮演著多重角色。它們負(fù)責(zé)啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)，為發(fā)動(dòng)機(jī)提供額外的電力，并在減速或滑行期間產(chǎn)生充電電壓，從而減少機(jī)械制動(dòng)系統(tǒng)的磨損，同時(shí)提高整體系統(tǒng)效率。 無(wú)論架構(gòu)或位置如何，啟動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)已被證明是車(chē)輛電氣化的重要組成部分。啟動(dòng)發(fā)電機(jī)可用于

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  1010

  02/26 07:19

  MOSFET 發(fā)電機(jī)

  

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