IGBT芯片

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  • CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù),推動(dòng)氮化鎵(GaN)進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場
    無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力於簡化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日,CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情,該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成應(yīng)用市場,這一市場規(guī)模預(yù)計(jì)超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG
    CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù),推動(dòng)氮化鎵(GaN)進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場
  • 英飛凌IGBT7系列芯片大解析
    上回書說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?,F(xiàn)今,英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽(micro pattern trench)技術(shù),溝道密度更高,元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì),并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù),從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開關(guān)性能。
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    01/16 11:45
    英飛凌IGBT7系列芯片大解析
  • 功率器件,2024年的機(jī)會在哪里?
    2023年對整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說并不輕松。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù),2023年半導(dǎo)體元器件行業(yè)市場規(guī)模為5201億美元,下跌9.4%,在所有元器件細(xì)分品類中,以功率器件為代表的分立器件是去年唯一正增長的,全年預(yù)計(jì)增長5.8%。 作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,按照下游應(yīng)用劃分,汽車領(lǐng)域占比達(dá)40%,其次是工業(yè)占比27%,消費(fèi)電子占13%,其他領(lǐng)域(如通訊、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域)占20%
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    2024/01/11
    功率器件,2024年的機(jī)會在哪里?
  • 萬萬沒想到打敗汽車的不是汽油,而是芯片
    相比手機(jī)、電腦芯片新產(chǎn)品發(fā)布會有時(shí)比春晚還熱鬧的景象,汽車芯片領(lǐng)域一直不太受普通大眾關(guān)注。直到2020年開始,汽車芯片出現(xiàn)了嚴(yán)重短缺,甚至出現(xiàn)了供應(yīng)商囤積居奇的魔幻場景。
  • IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代,英飛凌新品X3有何玄機(jī)?
    俗話說,好馬配好鞍,好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率,最好還要有完善的保護(hù)功能,例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等,為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。
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    2020/12/28
  • 硬科技股權(quán)融資重點(diǎn)項(xiàng)目推薦(三季度)
    硬科技股權(quán)融資重點(diǎn)項(xiàng)目推薦(三季度):半導(dǎo)體、信創(chuàng)、5G、網(wǎng)絡(luò)安全、AI、物聯(lián)網(wǎng)等
  • igbt芯片是什么意思
    IGBT芯片是一種新型電力電子器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域。從2008年華微電子開始研制第一代IGBT芯片至今,其已研發(fā)出四代IGBT芯片,目前正在開發(fā)集成電流傳感和溫度傳感的第五代IGBT芯片。

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