動態(tài)存儲器

動態(tài)存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM），是一種基于電容器原理的半導體存儲器件。與靜態(tài)存儲器（SRAM）相比，動態(tài)存儲器具有較高的集成度和可靠性，被廣泛應(yīng)用于計算機內(nèi)存等領(lǐng)域。

1.動態(tài)存儲器原理

動態(tài)存儲器的存儲單元由一個電容器和一個開關(guān)管組成。當電容器充電后，電荷被存儲在其中，表示數(shù)據(jù)“1”；反之則表示數(shù)據(jù)“0”。由于電容器會因為自放電而逐漸失去電荷，因此需要通過定期刷新來更新數(shù)據(jù)，這也是動態(tài)存儲器與靜態(tài)存儲器的主要區(qū)別。

2.動態(tài)存儲器優(yōu)缺點

動態(tài)存儲器具有較高的集成度和低廉的價格，但同時也存在一些缺點。首先，由于需要定期刷新，其訪問速度較慢；其次，易受外部干擾，會引起數(shù)據(jù)錯誤。不過，隨著制造工藝的進步和技術(shù)的改進，這些缺點正在逐漸減小。

3.動態(tài)存儲器應(yīng)用領(lǐng)域

動態(tài)存儲器廣泛應(yīng)用于計算機內(nèi)存、圖形處理器（GPU）以及其他需要高速數(shù)據(jù)傳輸和大容量存儲的應(yīng)用中。隨著人工智能等新型應(yīng)用的興起，動態(tài)存儲器的需求量也在不斷增加。