長江存儲或?qū)⑼七t武漢第二家晶圓廠建設(shè)

據(jù)消息人士透露，由于采購供應(yīng)鏈中斷，長江存儲可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。

據(jù)南華早報報道，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授魏少軍上周在論壇上贊揚(yáng)了長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新，但警告說，在美國對向中國出口尖端半導(dǎo)體技術(shù)實施制裁后，中國需要將重點轉(zhuǎn)移到成熟的技術(shù)開發(fā)上。

外國芯片專家表示，長江存儲實現(xiàn)技術(shù)進(jìn)步和批量生產(chǎn)的能力將受到其無法免費(fèi)獲得美國芯片制造工具和服務(wù)的阻礙。

研究機(jī)構(gòu)TrendForce也在一份研究報告中指出，如果沒有關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商的支持，長江存儲現(xiàn)在在其最新的3D NAND閃存技術(shù)Xtacking 3.0的開發(fā)中面臨著巨大的技術(shù)障礙。尤其是提高128層和232層工藝的良率對中國內(nèi)存制造商來說將極具挑戰(zhàn)性。

據(jù)一位業(yè)內(nèi)人士透露，由于采購供應(yīng)鏈中斷，長江存儲甚至可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。另一位行業(yè)專家、華為前技術(shù)人員稱，長江存儲并不缺乏光刻系統(tǒng)，因為它在實施限制之前已購買數(shù)臺光刻系統(tǒng)，但挑戰(zhàn)在于泛林集團(tuán)等供應(yīng)商的蝕刻工具。這些工具對于復(fù)雜的3D NAND晶圓制造工藝至關(guān)重要。