SiC功率器件

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  • 成本降低30%！低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)模化應(yīng)用
    導語 在工業(yè)電源、電動汽車與航空航天領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件的高效率與耐高溫特性正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件。然而，SiC芯片的高功率密度與高溫運行需求，對封裝技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)——傳統(tǒng)焊料在高溫下易疲勞失效，成為制約性能釋放的關(guān)鍵瓶頸。 銀燒結(jié)技術(shù)憑借低溫工藝與超高可靠性，成為解鎖SiC潛力的‘銀鑰匙’。愛仕特基于此技術(shù)開發(fā)的碳化硅模塊，已在多個應(yīng)用場景中驗證其性能優(yōu)勢，為行業(yè)提供高效、穩(wěn)
    成本降低30%！低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)?；瘧?yīng)用
  • 數(shù)億元！4家SiC企業(yè)獲得融資/貸款
    近日，國內(nèi)又有4家SiC企業(yè)完成新一輪融資/貸款，合計金額達數(shù)億元：11月26日，據(jù)“合肥高投”等消息，阿基米德半導體已正式完成數(shù)億元戰(zhàn)略輪融資，由陽光電源領(lǐng)投，仁發(fā)投資共同出資。目前，陽光電源持股比例為10.1695%，在股東中排名第三。
    數(shù)億元！4家SiC企業(yè)獲得融資/貸款
  • 三安、士蘭微等5個SiC項目公布新進展
    近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)新增5個碳化硅項目進展，包括士蘭微、三安半導體等。11月21日，據(jù)福建環(huán)保網(wǎng)公示，廈門士蘭明稼SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已完成環(huán)保驗收，目前正在穩(wěn)定運行中。
    三安、士蘭微等5個SiC項目公布新進展
  • 科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC
    全球知名半導體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”），被日本先進電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡稱“科索”）生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風冷型“HFA系列”和傳導散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD，從而實現(xiàn)了最大94%的工作效率
    科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC
  • 意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在 2027 年前推
    意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
  • SiC功率器件之爭，8英寸是重要拐點？
    近期，全球主要SiC功率器件供應(yīng)商英飛凌宣布正式啟用其位于馬來西亞居林工廠第三廠區(qū)的8英寸SiC晶圓制造廠一期產(chǎn)線，并已為接下來的8英寸SiC功率器件的量產(chǎn)做好準備。英飛凌官方透露，這一項目總建筑面積為131477平方米，自2021年啟動，分兩期工程，分別為5年的建設(shè)期，其中一期工程投資20億歐元，未來二期項目投資額更高達50億歐元，目標是建成全球規(guī)模最大且最高效的8英寸SiC功率器件晶圓廠。 馬
    SiC功率器件之爭，8英寸是重要拐點？
  • 碳化硅廠商，忙得不亦樂乎
    業(yè)界釋出碳化硅已然邁入高速增長期。從市場規(guī)模上看，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究指出，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。
    碳化硅廠商，忙得不亦樂乎
  • 國產(chǎn)8吋SiC線開工！年產(chǎn)72萬片
    6月18日，據(jù)廈門廣電網(wǎng)消息，廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于今天上午正式在海滄區(qū)開工。據(jù)“行家說三代半”此前報道，該項目總投資120億，分兩期建設(shè)，屆時將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力，其中：
  • 2家SiC企業(yè)獲新訂單，又一風口將至？
    近日，“行家說三代半”觀察到，國內(nèi)外有2家SiC頭部企業(yè)獲得新訂單，值得注意的是，這兩筆訂單需求皆與數(shù)據(jù)中心的電源解決方案緊密相聯(lián)。隨著人工智能的火熱化，數(shù)據(jù)中心作為其基石也在飛速發(fā)展，那么，SiC企業(yè)將為其提供哪些支持？數(shù)據(jù)中心為何需要導入SiC？未來的市場空間又有多大？以下“行家說三代半”將逐一揭曉。
  • 基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計為先進電機應(yīng)用鋪平了道路
    先進電機應(yīng)用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設(shè)計很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和
    基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計為先進電機應(yīng)用鋪平了道路
  • 車載OBC龍頭威邁斯采用這家公司的SiC混合功率芯片
    2月4日，英飛凌發(fā)布新聞稿宣布，新能源汽車OBC車載充電機頭部企業(yè)威邁斯采用了其CoolSiC混合分立器件，集成了TRENCHSTOP 5快速開關(guān)IGBT和CoolSiC肖特基二極管，用在威邁斯下一代6.6kW OBC/DCDC 車載充電機上。采用這家公司的SiC
    車載OBC龍頭威邁斯采用這家公司的SiC混合功率芯片
  • SiC與GaN雙管齊下，英飛凌再牽手2大知名廠商
    近期頻頻出手，全球半導體巨頭英飛凌持續(xù)擴大朋友圈。近日，繼SK Siltron CSS、富特科技之后，英飛凌再與安克創(chuàng)新、盛弘電氣兩大知名廠商達成合作。通過最新的兩項合作，英飛凌同時在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）領(lǐng)域迎來了新進展。其中，盛弘電氣將與英飛凌圍繞SiC功率器件攜手合作。
    SiC與GaN雙管齊下，英飛凌再牽手2大知名廠商
  • ?超80%！兩家SiC設(shè)備廠商2023凈利潤預(yù)增
    近日，碳化硅（SiC）金剛線切片機廠商高測股份和SiC長晶設(shè)備企業(yè)晶升股份相繼公布了2023年度業(yè)績預(yù)告，兩家公司均預(yù)計2023年凈利潤同比實現(xiàn)增長。
    ?超80%！兩家SiC設(shè)備廠商2023凈利潤預(yù)增
  • 超3億！新增3個SiC相關(guān)項目
    進入2024年，國內(nèi)外3個SiC項目也在加速推進：● 西安高新區(qū)：購置600余套設(shè)備，生產(chǎn)SiC器件等項目?！?華潤上華：發(fā)布SiC/GaN項目實施招標公告，復制晶圓制造服務(wù)。●?Pentamaster：將在2年內(nèi)投資超3億元建設(shè)SiC工廠，生產(chǎn)測試老化設(shè)備。
    超3億！新增3個SiC相關(guān)項目
  • 士蘭微定增49.6億元，擬用于SiC功率器件生產(chǎn)線等項目
    11月22日晚間，士蘭微發(fā)布的《向特定對象發(fā)行A股股票發(fā)行情況報告書》（以下簡稱報告書）顯示，公司本次完成發(fā)行2.48億股公司股份，發(fā)行價格為20元/股，募集資金總額為49.6億元，募集資金凈額約49.13億元。
    士蘭微定增49.6億元，擬用于SiC功率器件生產(chǎn)線等項目
  • 瞻芯電子陳儉：SiC功率器件國內(nèi)市場商用化之路
    10月13-14日，由張江高科、芯謀研究聯(lián)合主辦的第九屆張江高科·芯謀研究集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖峰會在上海浦東張江召開。在“化合物半導體分論壇”中，瞻芯電子COO陳儉做了主題演講。今年全球碳化硅的市場表現(xiàn)每季度都超越我們的預(yù)計，一季度最初計劃是6億美元，最后達到了8億美元，二季度時候預(yù)計7億美元，最后是8億美元。我估計后面兩個季度還會進一步上升。
    1914
    2023/10/26
    瞻芯電子陳儉：SiC功率器件國內(nèi)市場商用化之路
  • 擴產(chǎn)：英飛凌官宣50億歐元投資、英特爾規(guī)劃數(shù)十億美元擴建
    AI芯片、碳化硅等半導體細分領(lǐng)域的逆勢增長，給予行業(yè)更多信心。在全球半導體產(chǎn)業(yè)低迷周期，英飛凌、英特爾仍在蟄伏擴產(chǎn)蓄能，為今后的產(chǎn)業(yè)復蘇做準備，以搶占未來市場機會。當?shù)貢r間8月3日，功率半導體大廠英飛凌宣布，計劃在未來五年內(nèi)投資高達50億歐元，用于在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。
    擴產(chǎn)：英飛凌官宣50億歐元投資、英特爾規(guī)劃數(shù)十億美元擴建
  • SiC供給缺口依舊，羅姆計劃加大投資9年增產(chǎn)25倍
    近日，羅姆公布了2022年的財報情況。 2022年上半財年（2022年4月-2022年9月），羅姆集團的銷售額約2600億日元，折合130億人民幣左右，同比增長16.7%；營業(yè)利潤504億日元，同比增長46%；純利潤521億日元，同比增長69.2%。 基于上半年的數(shù)據(jù)，加上下半年的實際情況，羅姆預(yù)計2022財年（2022年4月-2023年3月）全年的銷售額約5200億日元，折合250-260億人民
    2618
    2023/03/08
    SiC供給缺口依舊，羅姆計劃加大投資9年增產(chǎn)25倍
  • 充電樁速度狂飆與背后功率器件的那些事兒
    2023 年 1 月 30 日，工信部等八部門印發(fā)《組織開展公共領(lǐng)域車輛全面電動化先行區(qū)試點工作通知》，提出新增公共充電樁（標準樁）與公共領(lǐng)域新能源汽車推廣數(shù)量（標準車）比例力爭達到 1： 1，高速公路服務(wù)區(qū)充電設(shè)施車位占比預(yù)期不低于小型停車位的 10%。意味著政策面上，對于新能源行業(yè)的發(fā)展及推動，已經(jīng)在充電樁領(lǐng)域進一步細化并展開，有助于緩解電動汽車車主及潛在車主對于里程的擔心與焦慮。 國產(chǎn)新能源
  • 意法半導體與賽米控合作，在下一代電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。

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