PECVD

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PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。是生產(chǎn)人造鉆石的一種工藝，這種方法有很多優(yōu)點，比如顏色等級高，成膜質(zhì)量好等。

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。是生產(chǎn)人造鉆石的一種工藝，這種方法有很多優(yōu)點，比如顏色等級高，成膜質(zhì)量好等。收起

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  • PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素
    學(xué)員問：薄膜應(yīng)力是沉積中必須要考慮的問題，請問影響PECVD 薄膜應(yīng)力的因素有哪些？各有什么優(yōu)缺點？
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    02/08 08:59
  • PECVD TEOS工藝介紹
    學(xué)員問：在沉積SiO2薄膜時，常采用PECVD TEOS工藝，那么TEOS有哪些優(yōu)勢？
    3786
    01/26 10:01
  • 先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納
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    2024/12/10
    先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  • PECVD制取SiO2需要什么氣體？
    學(xué)員問：麻煩介紹下PECVD制取SiO2薄膜的工藝注意事項？要制備SiO2，需要有硅源與氧源。硅源我們這里以硅烷為例，氧氣源可以是 O?、N?O、NO 或 CO?反應(yīng)方程式為：
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    2024/11/26
    PECVD制取SiO2需要什么氣體？
  • PECVD的噴淋頭有什么作用？
    學(xué)員問：PECVD中的shower head有什么作用？shower head是什么東西？如上圖，Showerhead，又可翻譯為噴淋頭，花灑等，Showerhead通常緊貼反應(yīng)區(qū)的上部，并作為氣體入口，將反應(yīng)氣體通過其表面的小孔均勻地注入到腔體內(nèi)。當(dāng)然并不是僅僅只有氣體分布的功能，有的設(shè)計好可以用來充當(dāng)電極的一部分。
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    2024/11/01
    PECVD的噴淋頭有什么作用？
  • 拓荊科技科創(chuàng)板IPO獲受理，募資10億元加碼高端半導(dǎo)體設(shè)備
    拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造三大主設(shè)備。
  • 如果PECVD反應(yīng)器中的等離子體無法穩(wěn)定，如何排查問題
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一種常用的薄膜生長技術(shù)，其核心是產(chǎn)生并利用等離子體對反應(yīng)物質(zhì)進(jìn)行激活和沉積。然而，有時候在PECVD反應(yīng)器中，等離子體可能會出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況，導(dǎo)致薄膜的質(zhì)量和均勻性下降。本文將詳細(xì)探討如何排查PECVD反應(yīng)器中等離子體不穩(wěn)定的問題及解決方法。
    2018
    2024/08/20
  • 如何解決PECVD中出現(xiàn)的薄膜不均勻或缺陷問題
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是一種常用的薄膜沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、涂層和功能性薄膜制備領(lǐng)域。然而，在PECVD過程中，不均勻的薄膜沉積或薄膜缺陷可能會影響產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。本文將探討如何解決PECVD中出現(xiàn)的薄膜不均勻或缺陷問題，以提高產(chǎn)品的質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性。
    7223
    2024/08/19
  • 在PECVD工藝中，如何優(yōu)化等離子體功率和頻率以提高薄膜質(zhì)量
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD）是一種重要的薄膜生長技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、涂層等領(lǐng)域。在PECVD工藝中，優(yōu)化等離子體功率和頻率是關(guān)鍵控制因素，直接影響著薄膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能。
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    2024/08/16
  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）中等離子體的作用有哪些
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在等離子體條件下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在固體襯底表面形成均勻、致密、具有良好性能的薄膜。等離子體在PECVD過程中起著關(guān)鍵作用，通過激活氣體分子和表面反應(yīng)，影響薄膜的生長速率、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。
  • 什么是PECVD？與常規(guī)CVD相比，它的優(yōu)勢是什么
    PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一種利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技朝制備具有特定性能的薄膜的過程。與傳統(tǒng)的CVD（Chemical Vapor Deposition）相比，PECVD在沉積薄膜時采用了等離子體激活氣體，從而提供了更多的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。
    5900
    2024/08/16

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