NMOS

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NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。收起

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  • PMOS與NMOS的工作原理
    學(xué)員問：PMOS與NMOS是如何工作的？什么是PMOS與NMOS？此處以增強(qiáng)型PMOS,NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。
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    03/10 16:12
    PMOS與NMOS的工作原理
  • 芯品速遞 | 希荻微推出汽車單通道30mΩ和50mΩ低邊開關(guān)芯片
    希荻微電子集團(tuán)股份有限公司（股票代碼: 688173，以下簡(jiǎn)稱“希荻微”）是一家模擬及電源管理的集成電路設(shè)計(jì)商，專注于高效節(jié)能及智能系統(tǒng)。希荻微近日推出兩款新產(chǎn)品——HL85103L和HL85105L。這兩款高性能單通道低邊開關(guān)芯片均集成了NMOS功率FET，旨在為用戶提供卓越的保護(hù)和可靠性，特別適用于電阻或電感負(fù)載，一側(cè)連接到電池的應(yīng)用場(chǎng)景。 卓越的保護(hù)功能 HL85103L和HL85105L均
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  • 大功率電路負(fù)載電流驅(qū)動(dòng)中，為什么都是用NMOS并聯(lián)，而不是PMOS呢？
    我們都知道，MOSFET按工作模式可以分為PMOS（P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管，這些晶體管由四個(gè)部分組成：源極 (S) 、漏極 (D) 、柵極 (G)和襯底（體），PMOS和NMOS 晶體管用作壓控開關(guān)或放大，根據(jù)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。主要區(qū)別在于負(fù)責(zé)電流流動(dòng)的電荷載流子的類型：PMOS中的空穴（正電荷）和NMOS中的電子（負(fù)電荷） 。
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  • 用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
    在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子
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  • 數(shù)字邏輯電路之邏輯門非邏輯
    在數(shù)字電路中，基礎(chǔ)邏輯門最后一個(gè)為非門，非門又叫反向器，是將輸入信號(hào)取反然后輸出。
    4.2萬
    2024/07/30