1111
據(jù)報(bào)道，SK海力士很可能將新加坡ASMPT設(shè)備用于其第五代HBM（HBM3E）技術(shù)，該技術(shù)被認(rèn)為是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）中的尖端產(chǎn)品組。由于HBM是通過堆疊DRAM來封裝的特性，因此層數(shù)越高成品率就越不穩(wěn)定，據(jù)悉ASMPT設(shè)備獲得了SK海力士的高度評(píng)價(jià)。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士2月26日透露，SK海力士已向ASMPT訂購TC Bonder設(shè)備，目前正在測(cè)試多種HBM產(chǎn)品組，其中包括HBM3E 16層產(chǎn)品。?TC鍵合機(jī)是HBM制程中必不可少的設(shè)備，是一種將多個(gè)芯片垂直堆疊的設(shè)備。就?SK Hynix?而言，他們重復(fù)使用?TC?鍵合機(jī)稍微抬高芯片裸片的工序，然后使用回流焊?(MR)?工藝將芯片鍵合。之后，還要經(jīng)過底部填充工藝以實(shí)現(xiàn)絕緣。?SK Hynix將此工藝稱為MR-MUF（模塑底部填充）。
經(jīng)確認(rèn)，SK海力士曾于今年1月美國拉斯維加斯舉辦的‘CES 2025’上展示過采用ASMPT設(shè)備生產(chǎn)的16層HBM3E產(chǎn)品。?HBM3E 16?層產(chǎn)品被稱為從?HBM3E 12?層產(chǎn)品向?HBM4（第?6?代?HBM）的過渡產(chǎn)品。隨著?Meta?和谷歌等主要大型科技公司開發(fā)自己的人工智能（AI）芯片并要求?HBM4?定制產(chǎn)品，HBM3E 16?層可能是?HBM4?商業(yè)化之前最可行的替代方案。
半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士解釋道，“由于HBM4與前幾代產(chǎn)品不同，屬于定制產(chǎn)品，因此部分客戶安裝功能更強(qiáng)大的HBM3E的可能性很高，隨著DeepSeek等低成本AI模型的出現(xiàn)，價(jià)格低于HBM4的HBM3E產(chǎn)品線的硬件需求可能會(huì)持續(xù)更長時(shí)間”。
全球HBM市場(chǎng)第一大龍頭SK海力士的TC Bonder曾一度被韓美半導(dǎo)體壟斷。不過，SK海力士一直在努力實(shí)現(xiàn)設(shè)備供應(yīng)商多元化。韓華半導(dǎo)體最近一直致力于開發(fā)包括ASMPT在內(nèi)的TC鍵合機(jī)，也是強(qiáng)大的供應(yīng)商之一。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，去年SK海力士生產(chǎn)線上已經(jīng)部署了約30臺(tái)ASMPT設(shè)備。
隨著HBM數(shù)量的增加，工藝也隨之發(fā)生變化，因此鍵合設(shè)備的重要性也隨之增加。以HBM3E 12層為例，由于芯片厚度有所減小，因此在鍵合時(shí)會(huì)施加一點(diǎn)熱量，使其輕微鍵合，然后再經(jīng)過MR工藝，以防止翹曲。?SK Hynix?將這一過程稱為?hMR（加熱質(zhì)量回流）。
熟悉SK海力士的一位人士表示，“我們了解到，在HBM3E 16層工藝的模擬過程中，隨著HBM層數(shù)的增加，ASMPT設(shè)備的性能要高于韓美半導(dǎo)體的設(shè)備”，并且“看來，CES 2025上亮相的HBM3E 16層產(chǎn)品采用ASMPT設(shè)備與此不無關(guān)系”。
