SOI技術(shù)

• 一文讀懂 | 集成電路制造技術(shù)

  集成電路的歷史從1958年TI的第一顆Flip-Flop電路開始，那時(shí)候只有兩個(gè)晶體管組成一個(gè)反相器而已。發(fā)展至今已有十億個(gè)晶體管的CPU了，而這些都不得不來(lái)自于半導(dǎo)體制造業(yè)的技術(shù)推進(jìn)得以持續(xù)scalable。

  溫戈

  6.9萬(wàn)

  2024/09/27

  電路 集成電路
• SOI晶圓的結(jié)構(gòu)、分類、優(yōu)勢(shì)、下游應(yīng)用

  1. 什么是SOI技術(shù)？SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來(lái)，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

  老虎說芯

  4574

  2024/09/02

  SOI SOI技術(shù)

  
• 射頻前端器件正在通過SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)未來(lái)

  相較于十年前，如今通信設(shè)備的前端射頻模塊的復(fù)雜度大大增加。以智能手機(jī)為例，不僅要實(shí)現(xiàn)sub-6 GHz、毫米波、WiFi 2.4GHz/5&6GHz、藍(lán)牙和UWB等無(wú)線協(xié)議的載波聚合（CA），而且5G、WiFi 6（E）、藍(lán)牙5.3/BLE等無(wú)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)吞吐量也極大提升，對(duì)能耗也提出更高要求。

  響指

  1230

  2022/07/25

  SOI技術(shù)
• 和解才是臺(tái)積電與格芯專利戰(zhàn)的最終歸宿？

  自格芯2019年8月26日在美國(guó)與德國(guó)提出對(duì)臺(tái)積電的侵權(quán)訴訟后，各界都在關(guān)注臺(tái)積電的應(yīng)對(duì)策略。

  拓墣產(chǎn)業(yè)研究

  19

  2019/10/11

  臺(tái)積電 格芯
• SOI晶圓的結(jié)構(gòu)、分類、優(yōu)勢(shì)、下游應(yīng)用

  SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來(lái)，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

  老虎說芯

  1508

  01/15 17:19

  半導(dǎo)體制造 SOI

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