分立式CoolSiC?MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究
選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵(lì)設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET,從而簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路。