浪涌防護(hù)

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  • USB PD 3.0控制器TPS25750浪涌防護(hù)方案
    本文主要是針對(duì)USB PD 3.0控制器TPS25750的浪涌防護(hù)方案，采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護(hù)器件對(duì)芯片進(jìn)行浪涌防護(hù)，保護(hù)設(shè)備免受電氣系統(tǒng)中的浪涌電壓或浪涌電流的損害，確保設(shè)備的安全性。 一、TPS25750介紹 TPS25750是一款高度集成的獨(dú)立式USB Type-C和電力輸送 (PD)控制器，針對(duì)支持 USB-C PD電源的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。TPS25750集成了完全管理的電源路徑與
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  • 低功耗電壓檢測芯片TPS3803浪涌防護(hù)方案
    本文主要是針對(duì)低功耗電壓檢測芯片TPS3803的浪涌防護(hù)方案，采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護(hù)器件對(duì)芯片進(jìn)行浪涌防護(hù)，保護(hù)設(shè)備免受電氣系統(tǒng)中的浪涌電壓或浪涌電流的損害，確保設(shè)備的安全性。 一、TPS3803介紹 TPS3803系列器件可為電路提供初始化和時(shí)序監(jiān)控，主要用于 DSP 和基于處理器的系統(tǒng)。TPS3803G15設(shè)備有一個(gè)由內(nèi)部分壓器設(shè)置的固定檢測閾值VIT，TPS3803?01?具有可調(diào)
  • 電流環(huán)路變送器XTR11x浪涌防護(hù)方案
    本文主要是針對(duì)電流環(huán)路變送器XTR11x的浪涌防護(hù)方案，采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護(hù)器件對(duì)芯片進(jìn)行浪涌防護(hù)，保護(hù)設(shè)備免受電氣系統(tǒng)中的浪涌電壓或浪涌電流的損害，確保設(shè)備的安全性。 一、XTR11x介紹 XTR115 和 XTR116 (XTR11x) 是精密電流輸出轉(zhuǎn)換器，設(shè)計(jì)用于通過業(yè)界通用電流環(huán)路傳輸模擬 4mA 至 20mA 信號(hào)。器件能提供精確的電流調(diào)節(jié)和輸出電流限制功能。 片上穩(wěn)壓器
  • 隔離式數(shù)字輸入接收器ISO1212浪涌防護(hù)方案
    ? ? ? 本文主要是針對(duì)隔離式數(shù)字輸入接收器ISO1212的浪涌防護(hù)方案，采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護(hù)器件對(duì)芯片進(jìn)行浪涌防護(hù)，保護(hù)設(shè)備免受電氣系統(tǒng)中的浪涌電壓或浪涌電流的損害，確保設(shè)備的安全性。一、ISO1212介紹? ? ? ISO1212器件是隔離式24V至60V數(shù)字輸入接收器，符合IEC61131-2 1類、2類和3類特性標(biāo)準(zhǔn)。此器件可以在可編程邏輯控制器(PLC)、電機(jī)控制、電網(wǎng)基礎(chǔ)
  • MOS管莫名燒毀？5大元兇與防護(hù)方案深度解析MDD
    在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐，深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略，為電路可靠性提供系統(tǒng)性解決方案。 一、過壓擊穿：雪崩能量的致命威脅 過壓是MOS管燒毀的首要元兇，常見于電源浪涌、感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰。當(dāng)漏源電壓（VDS）超過額定耐壓時(shí)，雪崩擊穿瞬間產(chǎn)生焦耳熱，導(dǎo)致芯片局部熔融。例如，某共享充電寶主板的MOS管因未配置T
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