功率MOSFET

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  • 600KHZ固定頻率24V/800mA同步降壓轉換器具有輕載PFM節(jié)能模式
    PCD2203 是一款 3.8V-24V 的寬輸入電壓范圍同步降壓轉換器，擁有 30V 輸入過壓保護，能夠驅動 0.8A 的負載。內部集成兩個低 RDSON 功率管，可減小導通損耗，提高效率。該芯片采用峰值電流模式控制，可以實現(xiàn)優(yōu)秀動態(tài)性能，也使得外圍補償電路簡單，由于開關頻率固定為 600K，可以選用小尺寸電感、電容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封裝，可以實現(xiàn)小尺寸的電源解決方案。具有15uA 靜態(tài)工作電流與 2uA 關斷電流，適用于低功耗要求的供電系統(tǒng)。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保護，輸入 OVP 以及熱關斷功能。
    600KHZ固定頻率24V/800mA同步降壓轉換器具有輕載PFM節(jié)能模式
  • 40V/1A高性能小體積同步降壓轉換器外部只需極少元器件
    PC2201是一款采用電流模式的降壓開關電源芯片。在輸入電壓范圍為4.7V~40V的情況下， PC2201可提供高達1A的輸出電流。PC2201內部集成了兩個N溝道MOSFET和同步功率開關，可以在不使用外部肖特基二極管的情況下提高電源轉換效率。 PC2201還采用了專利的控制方案，在輕載時將芯片切換到節(jié)能模式，從而擴展了高效率運行的范圍。
    40V/1A高性能小體積同步降壓轉換器外部只需極少元器件
  • AMEYA360 | MOSFET器件選型考慮哪些因素？4大法則搞定MOSFET器件選型
    功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎?關于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素，小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導通電阻等，不同的應用需求千變萬化，下面這篇文章總結了MOSFET器件相關選型法則，相信看完你會大有收獲。
  • 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
    選擇一個工作點而不是另一個工作點作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點作為在生產線末端測試時用于篩選器件的相同工作點，或者出于營銷或客戶目的以指示某些所需的能量水平。將一個器件的UIS能力與另一個器件進行比較時，關鍵點是比較相同Tj(initial)溫度下的Ipk vs tav繪圖數(shù)據(jù)，而不是比較單個UIS額定值。
    功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
  • 英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
    數(shù)據(jù)中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。
    英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
  • Vishay推出具有業(yè)內先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
    日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650 V MOSFET在功率轉
    Vishay推出具有業(yè)內先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
  • 英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET
    小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應用設計方面發(fā)揮著至關重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產品廣泛適用于各種應用，如服務器、通信、便攜式充電器和無線充電器中開關電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產品在無人機中還可應用于小型無刷電機的電子速度控制器等。
    英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET
  • 英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET
    未來電力電子系統(tǒng)的設計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉
  • 電動汽車充電逼近加油速度，要靠功率半導體了
    從目前的發(fā)展勢頭看，電車充電速度追上加油速度，不再是鏡花水月。
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    2022/11/18
  • 耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
    在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。
  • 最全功率MOSFET器件知識和廠家匯總
    與非網(wǎng)小編給你帶來最全關于功率MOSFET器件知識和廠家信息，讓你更加深入了解功率MOSFET器件。

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