光刻膠

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光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要收起

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    佳世達(dá)集團(tuán)羅升(8374)旗下資騰科技（Standard Technology Corporation）參加Semicon China 2025展覽，帶來多項(xiàng)半導(dǎo)體制程優(yōu)化創(chuàng)新產(chǎn)品，助力產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)降本增效與永續(xù)發(fā)展。如濾能-化學(xué)濾網(wǎng)、超高精度光刻膠泵，非接觸型渦漩式吸筆等。該展覽于3月26日至28日在上海新國際博覽中心舉行，資騰科技展位設(shè)于N3館3171號(hào)。 隨著電子產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，半導(dǎo)體制程的優(yōu)化和
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  • 光刻工藝：光刻膠、曝光方式、光刻主要步驟
    光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
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  • 光刻膠為何物？為何難以替代？光刻膠漲價(jià) 國產(chǎn)替代迫在眉睫
    業(yè)內(nèi)人士透露，日本住友化學(xué)子公司東友精密化學(xué)（Dongwoo Fine-Chem）表示，擬提高氟化氪（KrF）和L線光刻膠價(jià)格約10%-20%，具體漲幅因產(chǎn)品而異。
  • 國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠：“膠”戰(zhàn)正酣，破局在望
    1月23日，江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡稱“艾森股份”）發(fā)布公告稱，公司正在籌劃以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買棓諾（蘇州）新材料有限公司（以下簡稱“棓諾新材”）控股權(quán)并募集配套資金（以下簡稱“本次交易”）。
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  • EBR與WEE去邊膠的區(qū)別？
    EBR，全稱：Edge Bead Removal。WEE，全稱：wafer edge exposure。在晶圓勻膠后，晶圓邊緣的光刻膠會(huì)比中間區(qū)域的更厚，在后續(xù)的工序中會(huì)脫落造成污染，因此需要除去。而EBR，WEE,都是去除光刻工藝中晶圓邊緣光刻膠的方法。
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  • 鎵、鍺、光刻膠、超純石英等，那些影響全球半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料
    去年以來，中國對(duì)鎵、鍺、銻、超硬材料、石墨等兩用物項(xiàng)實(shí)行了出口管制措施。12月3日，商務(wù)部發(fā)布“關(guān)于加強(qiáng)相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國出口管制的公告”：禁止兩用物項(xiàng)對(duì)美國軍事用戶或軍事用途出口；原則上不予許可鎵、鍺、銻、超硬材料相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國出口；對(duì)石墨兩用物項(xiàng)對(duì)美國出口，實(shí)施更嚴(yán)格的最終用戶和最終用途審查。
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  • 國產(chǎn)光刻膠，破冰前行
    今年以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展，光刻膠作為核心材料，迎來了技術(shù)突破與市場擴(kuò)展的雙重契機(jī)，尤其是在國內(nèi)，光刻膠的研發(fā)和生產(chǎn)取得了一系列積極進(jìn)展：此前，由華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立的太紫微公司推出了T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，對(duì)標(biāo)國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列；光刻膠廠商阜陽欣奕華沖刺IPO，已開啟上市輔導(dǎo)備案；威邁芯材半導(dǎo)體高端光刻材料DUV級(jí)別（ArF/KrF）項(xiàng)目主體封頂；湖北武漢光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠....而近日，鼎龍股份、容大感光又再次帶來新消息。
    國產(chǎn)光刻膠，破冰前行
  • 一個(gè)國內(nèi)供應(yīng)商還比較少的行業(yè)：光刻配套試劑
    但凡對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)稍微有些了解的朋友對(duì)于光刻膠這個(gè)名詞一定耳熟能詳了。但大多數(shù)人不一定熟知的是：其實(shí)在實(shí)際半導(dǎo)體制造中還需要不少和光刻膠配套使用的化學(xué)試劑，比如：顯影液和剝離液：這兩種化學(xué)試劑知道的人還比較多，也比較容易理解
    一個(gè)國內(nèi)供應(yīng)商還比較少的行業(yè)：光刻配套試劑
  • 介紹一款光刻增粘劑-Ti Prime
    學(xué)員問：在做光刻時(shí)，光刻膠很容易脫落，有什么好的改進(jìn)措施嗎？為什么光刻膠會(huì)脫落？脫落主要是因?yàn)楣饪棠z與晶圓的粘附性不佳，而導(dǎo)致粘附性不佳的原因有很多，比如晶圓的材質(zhì)原因，晶圓表面過于光滑，晶圓表面殘留水分，光刻膠過厚內(nèi)應(yīng)力過大等。這個(gè)時(shí)候，在晶圓表面增加一個(gè)增粘步驟是很有必要的。
  • 勻膠時(shí)邊膠過厚如何改善？
    什么是wafer edge bead？wafer edge bead，又叫做邊膠，是指在晶圓的邊緣區(qū)上的光刻膠出現(xiàn)較厚的突起現(xiàn)象。
  • 什么是正負(fù)反轉(zhuǎn)光刻膠？
    學(xué)員問：圖形反轉(zhuǎn)膠兼具了正膠和負(fù)膠的作用，請(qǐng)問如何實(shí)現(xiàn)兩種功能的轉(zhuǎn)換？原理是什么？什么是正負(fù)反轉(zhuǎn)膠？在一款光刻膠中既可以實(shí)現(xiàn)正膠功能，也可以實(shí)現(xiàn)負(fù)膠功能。主要功能以負(fù)膠為主，用于晶圓制造的lift off制程。最常見的正負(fù)反轉(zhuǎn)膠要數(shù)AZ5214E,固含量28%左右，勻膠厚度在1-2um之間。
  • 光刻膠的旋涂曲線受那些因素影響？
    學(xué)員問：聽光刻的老師傅說，光刻膠的旋涂一般會(huì)遵循特定的旋涂曲線規(guī)律，可以介紹下旋涂曲線的相關(guān)知識(shí)嗎？
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  • PMMA是光刻膠嗎？
    學(xué)員問：PMMA是電子束光刻中用的材料，具有光敏性嗎，算光刻膠嗎？什么是PMMA？
  • 最新，國產(chǎn)光刻膠通過驗(yàn)證！
    據(jù)“中國光谷”消息，光谷企業(yè)近日在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)配方全自主設(shè)計(jì)，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。
    最新，國產(chǎn)光刻膠通過驗(yàn)證！
  • 新型顯示光刻膠亟待突破
    近日，中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)液晶分會(huì)常務(wù)副秘書長胡春明表示，我國顯示面板行業(yè)發(fā)展迅速，相關(guān)的原材料大多已實(shí)現(xiàn)本地供應(yīng)，但彩色/黑色光刻膠的國產(chǎn)化率仍然非常低，新型顯示用光刻膠這個(gè)整體市場規(guī)模不足百億元的原材料卻緊扣著超萬億元總投資的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
    新型顯示光刻膠亟待突破
  • 如何選擇光刻膠剝離液
    光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠最后都是作為犧牲層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠？
  • 勻膠轉(zhuǎn)速過大為什么會(huì)造成光刻膠條紋？
    學(xué)員問：勻膠后發(fā)現(xiàn)晶圓表面出現(xiàn)很多條紋，什么原因?qū)е碌模坑惺裁唇鉀Q思路？為什么會(huì)出現(xiàn)光刻膠條紋？光刻膠條紋的出現(xiàn)最根本原因是膠面的不平整，均勻性不好，有的部位膠比較厚有的部位膠比較薄，以條紋狀的形式分布。這種原因是由于勻膠的轉(zhuǎn)速過大導(dǎo)致的。
  • 如何去除光刻膠？
    去除光刻膠的方法主要有干法和濕法，濕法是主流，但是對(duì)于一些ICP或者離子注入工藝后發(fā)生“硬化”的光刻膠，濕法就會(huì)出現(xiàn)去膠不干凈的情況。
  • 正性光刻膠的曝光機(jī)理
    學(xué)員問：正膠在曝光后，曝光部分會(huì)被顯影液除去，未曝光部分會(huì)被保留，機(jī)理是什么？可以講一講嗎？光刻膠主要是由感光劑，樹脂，溶劑，添加劑（增塑劑、表面活性劑、光敏穩(wěn)定劑等）。樹脂是光刻膠的基本骨架，對(duì)光不敏感。溶劑主要包括PGMEA,EGMEAD等，用于稀釋光刻膠，調(diào)整其粘度。感光劑主要是對(duì)于光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。
  • 這家瑞士零部件公司，為何能與國際半導(dǎo)體龍頭頻頻合作？
    大家好，這里是芯片揭秘，本期節(jié)目我們邀請(qǐng)到一家非常國際化的公司——SAWATEC，給大家?guī)硭麄冏钚碌漠a(chǎn)品展示。坐在我身邊的是SAWATEC的董事長兼CEO MARCELLO PICCIRLLO先生，和SAWATEC中國區(qū)總經(jīng)理宋春玲女士。
    這家瑞士零部件公司，為何能與國際半導(dǎo)體龍頭頻頻合作？

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