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介紹
本應(yīng)用筆記介紹了STM32N6系列設(shè)備上低功耗模式的使用。它適用于STM32N6系列的所有設(shè)備。
STM32N6設(shè)備基于使用16納米FinFET技術(shù)的Arm? Cortex?-M55 CPU。它的運(yùn)行頻率最高可達(dá)800 MHz（超頻模式）。
STM32N6設(shè)備集成了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器（Neural-ART加速器），這是一個(gè)NPU及其子系統(tǒng)，旨在加速AI應(yīng)用的深度學(xué)習(xí)推理。NPU的運(yùn)行頻率最高可達(dá)1 GHz。
它們具有內(nèi)部SMPS。通過(guò)內(nèi)置的內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)器和電壓調(diào)節(jié)，它們?cè)诨顒?dòng)模式下的功耗保持在最低。設(shè)備的多電壓域允許核心在0.8 V的低電壓下供電，而I/O和模擬組件可以在1.8 V或3.3 V的更高供電電壓下工作。
它們支持一個(gè)備份域，可以通過(guò)電池供電以保持實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）運(yùn)行。備份域包括32個(gè)寄存器，每個(gè)寄存器寬度為32位，以及8 K字節(jié)的備份SRAM，可以在32位、16位或8位數(shù)據(jù)模式下訪問(wèn)。即使在微控制器經(jīng)歷主電源丟失的情況下，此SRAM也可以保留。當(dāng)主電源插接時(shí)，可以為備份電池充電。
STM32N6設(shè)備具有低功耗功能以降低功耗。它們支持不同的低功耗模式，可以在低功耗消耗、較短的啟動(dòng)/喚醒時(shí)間和活動(dòng)外設(shè)數(shù)量之間取得最佳平衡。
有關(guān)STM32N6的更多信息，請(qǐng)參閱相關(guān)文檔和工具。
一般信息
Arm? Cortex??M55基于Arm?v8.1-M架構(gòu)。該架構(gòu)包括Arm? TrustZone?, FPU, DSP和Arm? Helium?技術(shù)。Arm? Helium?技術(shù)是一種M-profile向量擴(kuò)展（MVE）。
注意：Arm和TrustZone是Arm Limited（或其子公司）在美國(guó)和/或其他地方的注冊(cè)商標(biāo)。
系統(tǒng)架構(gòu)
STM32N6設(shè)備具有復(fù)雜的系統(tǒng)架構(gòu)。這種架構(gòu)與僅需要VDD即可啟動(dòng)的其他STM32微控制器架構(gòu)不同。必須按照一定的順序應(yīng)用多個(gè)電壓供應(yīng)才能啟動(dòng)設(shè)備。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱文檔[2]。
電源管理功能分布在RCC（復(fù)位和時(shí)鐘控制）和PWR（電源）模塊之間。
RCC模塊負(fù)責(zé)時(shí)鐘樹處理（PLLs、多路復(fù)用器、分頻器、時(shí)鐘門控）和復(fù)位（外設(shè)的本地復(fù)位、Cortex?-M55復(fù)位、來(lái)自PWR的復(fù)位）。
PWR模塊負(fù)責(zé)低功耗模式的進(jìn)入和退出。進(jìn)入低功耗模式的請(qǐng)求來(lái)自CPU，并發(fā)送到RCC。RCC模塊根據(jù)模式切斷時(shí)鐘或門控時(shí)鐘。然后，RCC要求PWR進(jìn)入所請(qǐng)求的低功耗模式。對(duì)于喚醒，請(qǐng)求來(lái)自EXTI或某些外設(shè)發(fā)送到PWR。PWR恢復(fù)供電并通知RCC，RCC隨后可以打開時(shí)鐘。在內(nèi)部SMPS配置中，恢復(fù)電源供應(yīng)的機(jī)制是內(nèi)部完成的。另一方面，在外部SMPS配置中，使用PWR_ON信號(hào)通知外部電源調(diào)節(jié)器恢復(fù)供電。
