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微電子學(xué)中的微型化不可避免地導(dǎo)致寄生器件的意外出現(xiàn)。相鄰的導(dǎo)電路徑最終被一個(gè)非常窄的間隙分開(kāi)，以至于無(wú)法正確地將它們彼此隔離。寄生隧道器件、雙極晶體管和晶閘管最終會(huì)形成，每種器件都會(huì)引起其自身獨(dú)特的異常行為。
寄生SCRs（可控硅整流器）的出現(xiàn)引起了已經(jīng)研究透徹的固定問(wèn)題。寄生雙極晶體管的出現(xiàn)，如圖1所示的"NPN寄生雙極晶體管剖面"，通常不太嚴(yán)重，但會(huì)在電池供電電路中引發(fā)一種特殊類型的問(wèn)題。本文解決的就是這個(gè)問(wèn)題。
這個(gè)問(wèn)題在電池供電的存儲(chǔ)器中表現(xiàn)為數(shù)據(jù)損壞：存儲(chǔ)器陣列中的數(shù)據(jù)位無(wú)意中從1翻轉(zhuǎn)到0，或者從0翻轉(zhuǎn)到1。當(dāng)負(fù)脈沖無(wú)意中應(yīng)用于無(wú)意中形成的寄生雙極晶體管的發(fā)射極時(shí)，導(dǎo)致其進(jìn)入導(dǎo)通模式，并連接兩條本來(lái)隔離的信號(hào)線時(shí)，就會(huì)引起這種情況。
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