• 正文
    • 多晶金剛石散熱片的制備工藝
    • 未來(lái)應(yīng)用前景
  • 相關(guān)推薦
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

突破!高性能多晶金剛石散熱片

02/07 09:42
1308
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

隨著電子器件越來(lái)越小、功率越來(lái)越高,散熱成為制約性能的“頭號(hào)難題”。傳統(tǒng)材料(如銅、硅)熱導(dǎo)率有限,而金剛石的熱導(dǎo)率是銅的 5倍?以上,堪稱(chēng)“散熱王者”!但大尺寸高導(dǎo)熱金剛石制備成本高、工藝復(fù)雜,如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)?

多晶金剛石散熱片的制備工藝

哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù),在真空環(huán)境中通過(guò)微波激發(fā)氣體(氫氣、甲烷、氮?dú)猓屘荚釉诠枰r底上“生長(zhǎng)”成金剛石。

關(guān)鍵突破:

甲烷濃度:降低甲烷比例(從8%降至5%),減少雜質(zhì)碳沉積,提升晶體質(zhì)量。

生長(zhǎng)溫度:提高溫度(930~950℃),促進(jìn)晶粒橫向擴(kuò)展,讓結(jié)構(gòu)更致密。

? ?實(shí)驗(yàn)結(jié)果:高熱導(dǎo)率+低翹曲團(tuán)隊(duì)制備了5組樣品(S1-S5),發(fā)現(xiàn):

最優(yōu)性能:樣品S3(甲烷5%,溫度930℃)熱導(dǎo)率高達(dá) 1208 W/(m·K),翹曲值僅37微米,遠(yuǎn)超國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品(如Element Six的1000-2200 W/(m·K))。

速度與質(zhì)量的平衡:雖然降低甲烷會(huì)減緩生長(zhǎng)速率(5.8 μm/h),但熱導(dǎo)率顯著提升,且翹曲更小,后期加工更容易。

通過(guò)X射線衍射和拉曼光譜分析發(fā)現(xiàn):

<111>晶面主導(dǎo):晶體排列更規(guī)整,減少晶界缺陷。

低甲烷+高溫:抑制非晶碳生成,晶粒尺寸更大,熱傳導(dǎo)路徑更暢通。

與國(guó)外領(lǐng)先企業(yè)Element Six和Sumitomo Electric Industries相比,本研究通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù),實(shí)現(xiàn)了熱導(dǎo)率超過(guò)1200 W/(m·K)的多晶金剛石散熱片的制備,同時(shí)保證了較高的生長(zhǎng)速率(5.8微米/小時(shí))和較低的翹曲值(37微米)。通過(guò)后續(xù)工藝改進(jìn),有望實(shí)現(xiàn)更高速率下高導(dǎo)熱金剛石散熱片的制備,從而有效降低其生產(chǎn)成本。

未來(lái)應(yīng)用前景

多晶金剛石散熱片在以下領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景:

高性能計(jì)算:用于CPU、GPU等高功率芯片的散熱。

5G/6G通信:用于射頻器件和功率放大器的散熱。

新能源汽車(chē)電子:用于微波逆變器和功率模塊的散熱。

航空航天:用于高可靠性電子設(shè)備的散熱。

通過(guò)不斷優(yōu)化制備工藝,多晶金剛石散熱片有望成為未來(lái)高效散熱解決方案的重要組成部分,為電子器件的性能提升提供強(qiáng)有力的支持。

相關(guān)推薦