自1991年索尼公司推出第一款商用鋰離子電池,電子設(shè)備和移動科技行業(yè)發(fā)生了革命性的變化。鋰電池不僅使移動電話、筆記本電腦等電子設(shè)備變得更加輕薄便攜,同時也推動了電動交通的發(fā)展。
以智能手機為例,現(xiàn)代智能手機的性能已經(jīng)接近甚至超越了部分筆記本電腦,但是體積卻不足筆記本電腦的十分之一。高性能帶給我們流暢的用戶體驗,但背后是日益增長的電量需求。鋰電池技術(shù)發(fā)展到今天也達到了瓶頸,如何進一步提高能量密度,在有限的體積中儲存更多的能量是未來需要突破的課題。
我們知道電池在能量傳輸?shù)倪^程中是存在損耗的,轉(zhuǎn)化效率越高,相同容量的電池可使用時間越長?;谶@個想法,我們嘗試從電池負載端著手,看看如何提高電池利用率。
在手機內(nèi)部眾多電源管理器件中,Buck轉(zhuǎn)換器因其高轉(zhuǎn)換效率、小體積而被廣泛應(yīng)用。
下面我們來看一下Buck電路的基本構(gòu)成。
圖 1 Buck基本電路
如圖所示,一個基本的Buck電路由M1、M2兩個MOS管,電感L和電容C兩個儲能元件構(gòu)成。Buck電路本質(zhì)上是利用電感的伏秒平衡特性,通過控制兩個MOS管以一定的周期交替開關(guān),來實現(xiàn)電壓的轉(zhuǎn)換和能量的傳輸。根據(jù)伏秒定律可以得到如下公式:
VON:M1導(dǎo)通、M2關(guān)斷期間,電感L兩端壓降
TON:M1導(dǎo)通時間
VOFF:M1關(guān)斷、M2導(dǎo)通期間,電感L兩端壓降
TOFF:M2導(dǎo)通時間
對以上公式進行轉(zhuǎn)化后可以得到Buck輸出電壓和輸入電壓的關(guān)系:
其中D稱為占空比,根據(jù)定義有:
由公式(2)可知占空比由輸入和輸出電壓決定,由公式(3)可知,驅(qū)動電路可以通過控制M1、M2的導(dǎo)通、關(guān)斷時間來調(diào)節(jié)占空比。下圖所示是相同輸出電壓,不同輸入電壓時對應(yīng)的Buck開關(guān)波形。
圖 2 不同轉(zhuǎn)化比占空比對比
可以看到,當輸出電壓固定,隨著輸入電壓下降,驅(qū)動器控制M1導(dǎo)通時間增加,M2導(dǎo)通時間減小,從而將占空比逐步增大,以此來維持輸出電壓不變。假設(shè)占空比固定不變,當輸入電壓降低,輸出電壓隨之降低。
我們知道鋰電池電壓會隨著電量的釋放逐漸降低。如果電池后級Buck的占空比受到限制,那意味著隨著電量降低,Buck的輸出電壓將緩慢下降,后級負載為了維持正常工作需要從電池獲得更大的負載電流,這樣一來,Buck的轉(zhuǎn)換效率嚴重下降,電池電量很快就會消耗殆盡。
那Buck的占空比為何會受到限制,又有什么方法可以突破限制呢?帶著這個疑問,我們來分析下面這個Buck電路。
圖 3 雙NMOS Buck結(jié)構(gòu)
圖示為某Buck電路內(nèi)部功能框圖中的功率級部分。開關(guān)管M1、M2均為NMOS,當M1導(dǎo)通時,M1的源極也就是SW的電壓等于電源電壓VIN,這意味著M1的柵極電壓必須要高于VIN,M1才能導(dǎo)通,而對于Buck來說,系統(tǒng)最高電壓就是VIN。為了得到高于VIN的柵極電壓,需要外接一個電容CB在BOOT和SW之間,這個電容稱為自舉電容。
現(xiàn)在我們來分析下BOOT引腳上的電壓。TOFF期間M1關(guān)斷,M2導(dǎo)通,CB充電至VREG;TON期間M1導(dǎo)通,M2關(guān)斷,CB兩端電壓保持不變,但BOOT電壓等于VIN+VREG,至此M1柵極電壓高于VIN,M1得以正常導(dǎo)通。
由于BOOT電容的存在,BOOT電容需要在TOFF期間補充能量,因此TOFF至少需要維持一個最小的時間保證CB處于滿電狀態(tài),這意味著雙NMOS結(jié)構(gòu)無法做到100%占空比。
是否有辦法做到100%占空比?答案是肯定的。我們來看下艾為電子推出的AW37430 5V3A Buck轉(zhuǎn)換器給出的解決方案。
圖 4 AW37430 功能框圖
AW37431上電時序與Bypass觸發(fā)機制如下圖所示。
圖 5 AW37431 上電時序與Bypass觸發(fā)機制
T1:輸入電壓上升超過UVLO+閾值后,內(nèi)部軟啟動電路工作,輸出電壓開始上升;
T2:軟啟動完成,并且輸入電壓仍低于VIN_bypass+,進入100% duty模式,輸出電壓隨輸入電壓上升;
T3:當輸出電壓上升至VIN_bypass+,系統(tǒng)退出100% duty模式,輸出電壓下降并維持在設(shè)定值;
T4:當輸入電壓下降至VIN_bypass-,系統(tǒng)進入100% duty模式,輸出電壓跟隨輸入電壓下降;
T5:當輸入電壓下降至UVLO-閾值后,內(nèi)部泄放管打開,輸出電壓快速下降至0。
了解了AW37431的Bypass功能,我們來看下實際應(yīng)用中AW37431對續(xù)航的提升有多少。
我們以常見的4000mAh電池容量的手機為例,分別對比下搭載了1顆普通雙NMOS結(jié)構(gòu)的Buck和1顆AW37431的放電曲線。假設(shè)手機還剩5%電量,對應(yīng)容量為200mAh。按照搭載普通雙NMOS Buck(靜態(tài)功耗400μA)的手機待機功耗按照4mA計算,那么理論待機時長為50h。如果替換為AW37431(靜態(tài)功耗10μA),手機待機功耗降低至3.61mA,那么理論待機時長將提升至55h,相當于增加了5h續(xù)航時間。如下圖所示。
圖 6 低電量待機時間對比
由此可見,搭載了Bypass功能后,低電量下手機續(xù)航得到明顯提升。