• USB 發(fā)展困境與突破之路

  USB 自問世后廣泛應(yīng)用，但 2013 年后發(fā)展停滯。主要因缺乏通用設(shè)備控制器。英飛凌 EZ - USB? FX10 可解決部分問題，它簡化開發(fā)流程、提升性能，有望推動 USB 在新興領(lǐng)域發(fā)展，突破當(dāng)前困境。

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• 用英飛凌的USB-C PD解決方案提高充電性能

  這篇白皮書探討了USB-C電力傳輸（PD）解決方案的技術(shù)進步和設(shè)計考慮，包括拓撲選擇、氮化鎵（GaN）器件應(yīng)用和電磁干擾（EMI）緩解策略，以實現(xiàn)高效的充電設(shè)備設(shè)計。

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• TDM22544D & TDM22545D 雙相電源模塊

  TDM22544D和TDM22545D 擴展了英飛凌的雙相電源模塊系列，英飛凌雙相電源模塊在罩個基板上集成了雨個OptiMOSTM6功率器件，亞集成了雷感和電容。與同等分立多相電源的解決方案相比，雙相電源模塊將面積減少了40%以上。

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• 集成降壓-升壓和場效應(yīng)晶體管的車規(guī)級單端口 USB PD 控制器

  EZ-PD? CCG7SAF 是一款高度集成的單端口 USB Type-C 供電（PD）解決方案，集成了一個降壓-升壓控制器和兩個開關(guān) FET。它符合最新的 USB Type-C 和 PD 規(guī)范。目標(biāo)應(yīng)用：車載充電器（主機充電器、后座娛樂系統(tǒng)和后座充電器）。獨家：提供初步數(shù)據(jù)表！

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• 優(yōu)化高壓 GaN 晶體管 PCB 布局的 10 種方法

  高壓GaN晶體管的快速開關(guān)速度帶來了諸多優(yōu)勢，如更高的效率和增加的功率密度。 然而，這也使得 PCB 布局更具挑戰(zhàn)性。 多年來，標(biāo)準的解決方案一直是降低功率器件的開關(guān)速度，但這不僅會增加功耗還會降低效率。 很明顯這不再是個理想的解決方案。請下載這份獨家應(yīng)用筆記！與我們共同討論優(yōu)化布局以獲得最佳電氣和熱性能的策略。 ?

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• WBG開關(guān)在電動驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用

  解鎖寬禁帶器件在電動驅(qū)動系統(tǒng)中的潛力，了解更多相關(guān)信息，請查閱我們的白皮書。探索高頻開關(guān)對效率的影響，發(fā)現(xiàn)新興趨勢，并比較硅和寬禁帶器件的性能。立即下載白皮書！

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• 無線充電IC（WLC）— 集成了USB Type-C PD 控制器的15 W 發(fā)送器

  WLC1115 是一款高度集成、符合 Qi 標(biāo)準的無線電力發(fā)送器，并集成了USB Type-C 電力傳輸 (PD) 功能。WLC1115 符合適用于15 W 應(yīng)用程序的最新 Qi 規(guī)范。WLC1115 還符合最新的 USB Type-C 和 PD 規(guī)范，該器件是高達 15 W 充電應(yīng)用的理想選擇。

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• 無線充電 IC（WLC）— 集成了 USB Type-C PD 控制器的 50 W 發(fā)射器

  WLC1150是一款高度集成的無線充電發(fā)射器芯片，可在英飛凌高功率私有協(xié)議模式下提供50W的功率輸出，同時與Qi 1.3.x標(biāo)準兼容，支持EPP、BPP和PPDE。它是一款高性價比的解決方案，適用于智能音箱、智能手機、顯示器支架、集成家具、醫(yī)療保健、清潔機器人以及其他一些對防水或防塵有要求的充電應(yīng)用，功率可達50W。結(jié)合Infineon的USB-C充電器解決方案，它提供了一個完整的產(chǎn)品套裝，有助于

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• 具有 230 VAC 額定輸入和高達2A恒流 (CC) 輸出的電動自行車電池充電器的參考設(shè)計

  本文檔是84W AC-DC 轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計的工程報告，該參考設(shè)計使用了英飛凌的 ICC80QSG 反激式控制器和采用 SOT-223 封裝的 700V CoolMOS? P7 超結(jié) MOSFET。通過在外部添加電池安全開關(guān)和充電配置文件控制電路，該參考設(shè)計板可用于電池充電應(yīng)用。 請參閱本文檔的測試設(shè)置和安全信息部分以獲取更多信息。

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• 新型NFC標(biāo)簽端控制器，用于緊湊型和無電池物聯(lián)網(wǎng)

  英飛凌 的 NFC 標(biāo)簽端控制器 NGC1081 是智能傳感應(yīng)用的顛覆者——不再需要電池！

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• 全新EPR規(guī)范助力提升基于氮化鎵的USB-C適配器和充電器的性能

  隨著USB PD 3.1標(biāo)準[1]的發(fā)布，最大功率被提升到了240W。但寬輸出電壓范圍5V至48V給現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)帶來了新的挑戰(zhàn)。本白皮書提出了AC-DC PFC升壓級和DC-DC HFB（混合反激式）級[2]（也稱非對稱半橋反激式拓撲結(jié)構(gòu)）作為具有寬輸入和輸出電壓范圍的USB-PD充電器和適配器的最佳選擇。 我們將一個高度集成的新型XDP?控制器XDPS2221作為二合一控制器

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• XENSIV? - 傳輸系統(tǒng)中的傳感器使用案例

  英飛凌XENSIV強大而可靠的磁性傳感器支持傳輸系統(tǒng)優(yōu)化，最大限度地提高能源效率，使我們的地球更加潔凈。我們強大的傳感器可支持客戶平臺方式（標(biāo)準化），可靠地減少了客戶的質(zhì)量問題，此外，我們還提供大量穩(wěn)定的產(chǎn)品組合，使業(yè)務(wù)得以延續(xù)。

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• 服務(wù)器和電信應(yīng)用中的氮化鎵技術(shù)

  本文將探討增強型 GaN HEMT 在服務(wù)器電源和電信基礎(chǔ)設(shè)施等高功率應(yīng)用中的優(yōu)勢。與下一代最佳硅替代品相比，本文將定量地展示，基于 GaN 功率器件的系統(tǒng)能有多大提升。本文還將深入探討相應(yīng)拓撲結(jié)構(gòu)、磁性器件選擇及開關(guān)頻率，以充分利用下一代功率器件的優(yōu)勢。

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• 高壓 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鑒定

  憑借英飛凌在電力電子領(lǐng)域的專業(yè)知識和眾多寬禁帶 (WBG) 相關(guān) IP 產(chǎn)品系列，高壓 (> 600 V) CoolGaN ? 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 代表著一項重大工程進步。這些非常耐用、可靠的器件大大改善了即將實現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換開關(guān)器件的品質(zhì)因數(shù) (FoM)。這些器件系統(tǒng)性能出色——實現(xiàn)了更高水平的效率及行業(yè)領(lǐng)

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• XENSIV? – TLE4972 磁性電流傳感器

  英飛凌 TLE4972 無芯磁電流傳感器產(chǎn)品系列專門滿足汽車應(yīng)用中電流感應(yīng)的要求。成熟而強大的霍爾技術(shù)能夠?qū)﹄娏鞲袘?yīng)的磁場進行準確且高度線性的電流測量。憑借其緊湊的設(shè)計，VSON 和 TDSO 封裝分別只需要 3.5 x 4.5 mm 和 6 x 5 mm 的空間，診斷模式下也同樣適用，因此TLE4972 非常適合混合動力和電池驅(qū)動車輛中使用的牽引逆變器等 xEV 應(yīng)用以及電池主開關(guān)。

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• 引擎蓋下的智能

  現(xiàn)在的ADAS幾乎完全依賴攝像頭和激光雷達傳感器。它們的缺點是只能探測到直接視線范圍內(nèi)的物體。英飛凌推出了一款具有Reality AI的系統(tǒng)，使汽車具有聽覺。該系統(tǒng)基于首個 AEC-Q103-003，是來自英飛凌 XENSIV 系列和 Aurix MCU 的市場上符合汽車標(biāo)準的 MEMS 麥克風(fēng)，可以及早檢測和定位緊急車輛。該系統(tǒng)還能識別其他道路使用者（行人、非機動車駕駛?cè)?、汽車和卡車等），并確定

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• 英飛凌關(guān)于 USB-C PD 充電器的建議和解決方案

  充電器領(lǐng)域近期的發(fā)展和技術(shù)進步使工程師在日常生活中面臨新的挑戰(zhàn)。更高的效率、相同輸出功率下更小的占用空間或相同占用空間下更大的功率是當(dāng)代充電器設(shè)計中的主要挑戰(zhàn)之一。在本白皮書中，英飛凌為工程師提供了 USB-C PD 充電領(lǐng)域不同解決方案的概述。文中所描述的每一個解決方案都能幫助工程師實現(xiàn)各種特定的設(shè)計目標(biāo)，如最高的效率、提高性價比或增強設(shè)計靈活性。

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• 英飛凌如何控制和保證SiC基功率半導(dǎo)體的可靠性

  英飛凌 CoolSiC? 基于溝道的碳化硅功率MOSFET代表了功率轉(zhuǎn)換開關(guān)器件性能因數(shù)（FOM）值的顯著提高，具有優(yōu)異的系統(tǒng)性能。這在許多應(yīng)用中實現(xiàn)了更高的效率、功率密度和降低的系統(tǒng)成本。這項技術(shù)也可以被認為是新的應(yīng)用程序和拓撲的使能器。

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• 高性能CoolSiC?MOSFET技術(shù)具有類似硅的可靠性

  先進的設(shè)計活動主要集中在比電阻領(lǐng)域，作為給定技術(shù)的主要基準參數(shù)。然而，必須在電阻和開關(guān)損耗等主要性能指標(biāo)與實際電力電子設(shè)計相關(guān)的其他方面（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?

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• CoolSiC? MOSFET：功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的革命

  碳化硅（SiC）晶體管越來越多地應(yīng)用于功率變換器中，對其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開關(guān)單極性器件的設(shè)計成為可能，而不是雙極性IGBT器件。因此，只有在低壓世界（<600 V）才有可能實現(xiàn)的解決方案，現(xiàn)在在更高的電壓下也有可能實現(xiàn)。其好處是更高的效率，更高的開關(guān)頻率，更好的散熱和節(jié)省空間，反過來也可以導(dǎo)致整體成本較低。 同時，MOSFET已被普遍接受為選擇的概

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