• USB 發(fā)展困境與突破之路

  USB 自問世后廣泛應(yīng)用，但 2013 年后發(fā)展停滯。主要因缺乏通用設(shè)備控制器。英飛凌 EZ - USB? FX10 可解決部分問題，它簡(jiǎn)化開發(fā)流程、提升性能，有望推動(dòng) USB 在新興領(lǐng)域發(fā)展，突破當(dāng)前困境。

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• 用英飛凌的USB-C PD解決方案提高充電性能

  這篇白皮書探討了USB-C電力傳輸（PD）解決方案的技術(shù)進(jìn)步和設(shè)計(jì)考慮，包括拓?fù)溥x擇、氮化鎵（GaN）器件應(yīng)用和電磁干擾（EMI）緩解策略，以實(shí)現(xiàn)高效的充電設(shè)備設(shè)計(jì)。

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• TDM22544D & TDM22545D 雙相電源模塊

  TDM22544D和TDM22545D 擴(kuò)展了英飛凌的雙相電源模塊系列，英飛凌雙相電源模塊在罩個(gè)基板上集成了雨個(gè)OptiMOSTM6功率器件，亞集成了雷感和電容。與同等分立多相電源的解決方案相比，雙相電源模塊將面積減少了40%以上。

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• 集成降壓-升壓和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的車規(guī)級(jí)單端口 USB PD 控制器

  EZ-PD? CCG7SAF 是一款高度集成的單端口 USB Type-C 供電（PD）解決方案，集成了一個(gè)降壓-升壓控制器和兩個(gè)開關(guān) FET。它符合最新的 USB Type-C 和 PD 規(guī)范。目標(biāo)應(yīng)用：車載充電器（主機(jī)充電器、后座娛樂系統(tǒng)和后座充電器）。獨(dú)家：提供初步數(shù)據(jù)表！

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• 優(yōu)化高壓 GaN 晶體管 PCB 布局的 10 種方法

  高壓GaN晶體管的快速開關(guān)速度帶來了諸多優(yōu)勢(shì)，如更高的效率和增加的功率密度。 然而，這也使得 PCB 布局更具挑戰(zhàn)性。 多年來，標(biāo)準(zhǔn)的解決方案一直是降低功率器件的開關(guān)速度，但這不僅會(huì)增加功耗還會(huì)降低效率。 很明顯這不再是個(gè)理想的解決方案。請(qǐng)下載這份獨(dú)家應(yīng)用筆記！與我們共同討論優(yōu)化布局以獲得最佳電氣和熱性能的策略。 ?

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• WBG開關(guān)在電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用

  解鎖寬禁帶器件在電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的潛力，了解更多相關(guān)信息，請(qǐng)查閱我們的白皮書。探索高頻開關(guān)對(duì)效率的影響，發(fā)現(xiàn)新興趨勢(shì)，并比較硅和寬禁帶器件的性能。立即下載白皮書！

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• 新型NFC標(biāo)簽端控制器，用于緊湊型和無電池物聯(lián)網(wǎng)

  英飛凌 的 NFC 標(biāo)簽端控制器 NGC1081 是智能傳感應(yīng)用的顛覆者——不再需要電池！

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• 全新EPR規(guī)范助力提升基于氮化鎵的USB-C適配器和充電器的性能

  隨著USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)[1]的發(fā)布，最大功率被提升到了240W。但寬輸出電壓范圍5V至48V給現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)帶來了新的挑戰(zhàn)。本白皮書提出了AC-DC PFC升壓級(jí)和DC-DC HFB（混合反激式）級(jí)[2]（也稱非對(duì)稱半橋反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)）作為具有寬輸入和輸出電壓范圍的USB-PD充電器和適配器的最佳選擇。 我們將一個(gè)高度集成的新型XDP?控制器XDPS2221作為二合一控制器

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• XENSIV? - 傳輸系統(tǒng)中的傳感器使用案例

  英飛凌XENSIV強(qiáng)大而可靠的磁性傳感器支持傳輸系統(tǒng)優(yōu)化，最大限度地提高能源效率，使我們的地球更加潔凈。我們強(qiáng)大的傳感器可支持客戶平臺(tái)方式（標(biāo)準(zhǔn)化），可靠地減少了客戶的質(zhì)量問題，此外，我們還提供大量穩(wěn)定的產(chǎn)品組合，使業(yè)務(wù)得以延續(xù)。

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• 服務(wù)器和電信應(yīng)用中的氮化鎵技術(shù)

  本文將探討增強(qiáng)型 GaN HEMT 在服務(wù)器電源和電信基礎(chǔ)設(shè)施等高功率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。與下一代最佳硅替代品相比，本文將定量地展示，基于 GaN 功率器件的系統(tǒng)能有多大提升。本文還將深入探討相應(yīng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、磁性器件選擇及開關(guān)頻率，以充分利用下一代功率器件的優(yōu)勢(shì)。

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• 高壓 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鑒定

  憑借英飛凌在電力電子領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)和眾多寬禁帶 (WBG) 相關(guān) IP 產(chǎn)品系列，高壓 (> 600 V) CoolGaN ? 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 代表著一項(xiàng)重大工程進(jìn)步。這些非常耐用、可靠的器件大大改善了即將實(shí)現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換開關(guān)器件的品質(zhì)因數(shù) (FoM)。這些器件系統(tǒng)性能出色——實(shí)現(xiàn)了更高水平的效率及行業(yè)領(lǐng)

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• XENSIV? – TLE4972 磁性電流傳感器

  英飛凌 TLE4972 無芯磁電流傳感器產(chǎn)品系列專門滿足汽車應(yīng)用中電流感應(yīng)的要求。成熟而強(qiáng)大的霍爾技術(shù)能夠?qū)﹄娏鞲袘?yīng)的磁場(chǎng)進(jìn)行準(zhǔn)確且高度線性的電流測(cè)量。憑借其緊湊的設(shè)計(jì)，VSON 和 TDSO 封裝分別只需要 3.5 x 4.5 mm 和 6 x 5 mm 的空間，診斷模式下也同樣適用，因此TLE4972 非常適合混合動(dòng)力和電池驅(qū)動(dòng)車輛中使用的牽引逆變器等 xEV 應(yīng)用以及電池主開關(guān)。

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• 英飛凌關(guān)于 USB-C PD 充電器的建議和解決方案

  充電器領(lǐng)域近期的發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步使工程師在日常生活中面臨新的挑戰(zhàn)。更高的效率、相同輸出功率下更小的占用空間或相同占用空間下更大的功率是當(dāng)代充電器設(shè)計(jì)中的主要挑戰(zhàn)之一。在本白皮書中，英飛凌為工程師提供了 USB-C PD 充電領(lǐng)域不同解決方案的概述。文中所描述的每一個(gè)解決方案都能幫助工程師實(shí)現(xiàn)各種特定的設(shè)計(jì)目標(biāo)，如最高的效率、提高性價(jià)比或增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性。

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• 英飛凌如何控制和保證SiC基功率半導(dǎo)體的可靠性

  英飛凌 CoolSiC? 基于溝道的碳化硅功率MOSFET代表了功率轉(zhuǎn)換開關(guān)器件性能因數(shù)（FOM）值的顯著提高，具有優(yōu)異的系統(tǒng)性能。這在許多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了更高的效率、功率密度和降低的系統(tǒng)成本。這項(xiàng)技術(shù)也可以被認(rèn)為是新的應(yīng)用程序和拓?fù)涞氖鼓芷鳌?

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• 高性能CoolSiC?MOSFET技術(shù)具有類似硅的可靠性

  先進(jìn)的設(shè)計(jì)活動(dòng)主要集中在比電阻領(lǐng)域，作為給定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，必須在電阻和開關(guān)損耗等主要性能指標(biāo)與實(shí)際電力電子設(shè)計(jì)相關(guān)的其他方面（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?

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• CoolSiC? MOSFET：功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的革命

  碳化硅（SiC）晶體管越來越多地應(yīng)用于功率變換器中，對(duì)其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開關(guān)單極性器件的設(shè)計(jì)成為可能，而不是雙極性IGBT器件。因此，只有在低壓世界（<600 V）才有可能實(shí)現(xiàn)的解決方案，現(xiàn)在在更高的電壓下也有可能實(shí)現(xiàn)。其好處是更高的效率，更高的開關(guān)頻率，更好的散熱和節(jié)省空間，反過來也可以導(dǎo)致整體成本較低。 同時(shí)，MOSFET已被普遍接受為選擇的概

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• 5G通信開關(guān)電源的主要要求和建議

  本文概述了現(xiàn)代通信開關(guān)電源的主要要求，直接源自5G系統(tǒng)的主要趨勢(shì)。我們討論了CoolSiC? MOSFET 650 V 技術(shù)為最新一代通信整流器帶來的優(yōu)勢(shì)，它成功地滿足了高效率和高性能的所有關(guān)鍵設(shè)計(jì)要求。

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• GaN e-mode HEMT在無線動(dòng)力傳遞領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)

  便攜式設(shè)備的無線充電消除了對(duì)傳統(tǒng)適配器/充電器的需求，本文演示了氮化鎵（GaN）增強(qiáng)模式（e-mode）的優(yōu)勢(shì)，已針對(duì)無線技術(shù)提出了兩種功率放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中基于MOSFET的HEMT器件根據(jù)AirFuel聯(lián)盟的基準(zhǔn)規(guī)格進(jìn)行動(dòng)力傳輸。

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• CoolGaN的可靠性和資質(zhì)

  本文介紹了英飛凌用于成功認(rèn)證的四部分流程CoolGaN TM 600 V技術(shù)和產(chǎn)品。描述了關(guān)鍵的故障機(jī)制，以及實(shí)現(xiàn)故障的方法確保在各種應(yīng)用中提供安全可靠的操作。通過這種方法，避免了我們的客戶否則會(huì)遇到的許多風(fēng)險(xiǎn)，并找到了一條安全的道路提供了使用CoolGaN TM技術(shù)的方法。 ?

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• 650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMW65R027M1H

  650V CoolSiC?基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性，650V CoolSiC? MOSFET將碳化硅的強(qiáng)大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨(dú)特特性結(jié)合在一起。CoolSiC? M8 MOSFET基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化可提供最低應(yīng)用損耗和最高運(yùn)行可靠性，適用于在高溫和惡劣環(huán)境中運(yùn)行，能夠以最高的系

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