使用機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì) ECD 進(jìn)行建模以改進(jìn) CMP 仿真

2022/01/14
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使用機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì) ECD 進(jìn)行建模以改進(jìn) CMP 仿真

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化學(xué)機(jī)械平面化 / 拋光 (CMP) 是在半導(dǎo)體芯片和電子器件的多級(jí)互連制造過(guò)程中使用的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)1,2。芯片制造中使用的許多工藝步驟都要求晶圓具有平整（光滑）表面，以確保在生成下一層結(jié)構(gòu)的光刻過(guò)程中曝光出正確的圖形。CMP 作為一項(xiàng)實(shí)現(xiàn)表面平坦的關(guān)鍵工藝，用來(lái)滿(mǎn)足精確焦深 (DOF) 和光刻要求，并進(jìn)一步精確支持后續(xù)構(gòu)建多級(jí)互連導(dǎo)線(xiàn)、高 k 替代金屬柵極晶體管、3D 堆疊芯片、3D NAND 存儲(chǔ)單元等的蝕刻步驟。

 

公司介紹

德國(guó)西門(mén)子股份公司（SIEMENS AG）創(chuàng)立于1847年，是全球電子電氣工程領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。西門(mén)子自1872年進(jìn)入中國(guó)，140余年來(lái)以創(chuàng)新的技術(shù)、卓越的解決方案和產(chǎn)品堅(jiān)持不懈地對(duì)中國(guó)的發(fā)展提供全面支持，并以出眾的品質(zhì)和令人信賴(lài)的可靠性、領(lǐng)先的技術(shù)成就、不懈的創(chuàng)新追求，確立了在中國(guó)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

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